负电压输出电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100511936C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200410056955.5

    申请日:2004-08-23

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/072

    Abstract: 提供负电压输出电路,在从电源电压上升后,充电泵电路完全开始动作前,不会产生闭锁现象。本发明的负电压输出电路,是包括具有第1振荡器的充电泵电路和、根据上述第1振荡频率设定定时器时间的定时器电路和、N沟道型MOS晶体管,一方的N型扩散层与上述充电泵电路的输出端子连接,另一方的N型扩散层与接地电位连接,栅电极与上述定时器电路的输出端子连接,在上述定时器的时间内导通。

    模拟信号电平检测器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1531200A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:CN200410030432.3

    申请日:2004-03-18

    CPC classification number: H03M1/18

    Abstract: 本发明采用这样的结构:用电压比较器将经整流的模拟输入信号和阈值电压进行比较,基于比较结果切换增减计数器的计数方向,用锁存电路保持增减计数器的输出,用数字-模拟变换电路将锁存电路的输出变换成直流电压。另外,增减计数器中设有两个输入端子,单独地输入增计数动作用时钟脉冲和减计数动作用时钟脉冲,还设有确定增减计数器的复位定时和锁存电路的锁存定时的定时脉冲发生电路。

    自动增益控制电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100481721C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200310117902.5

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: H03G3/3036

    Abstract: 本发明提供一种不需要由电阻器和电容器构成的积分电路的自动增益控制电路。为此,在由增益控制电压控制的可变增益控制电路将输入信号放大或衰减时,用整流电路对可变增益放大电路的输出信号进行整流,用电压比较器将整流电路的输出信号与任意设定的电压进行比较。用电压比较器的输出信号对递增/递减计数器的递增计数动作和递减计数动作进行切换控制,从数/模转换电路输出与递增/递减计数器的计数值对应的电压。然后,将与从数/模转换电路输出的电压对应的增益控制电压提供给可变增益放大电路。

    角速度传感器装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101308160A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810085369.1

    申请日:2003-12-17

    CPC classification number: H03G3/007

    Abstract: 本发明提供一种增益与电源电压成正比的放大器及使用它的角速度传感器装置。为了获得增益与电源电压成正比的放大器,将第一和第二P沟道MOS-FET的漏-源间电压形成零偏置,以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准,将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS-FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端上。所述第一和第二MOS-FET的其中一个MOS-FET的栅极与电路地连接,在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压,将这两个MOS-FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。

    增益与电源电压成正比的放大器及使用它的角速度传感器装置

    公开(公告)号:CN100430732C

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200310125460.9

    申请日:2003-12-17

    CPC classification number: H03G3/007

    Abstract: 本发明提供一种增益与电源电压成正比的放大器。为了获得增益与电源电压成正比的放大器,将第一和第二P沟道MOS-FET的漏-源间电压形成零偏置,以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准,将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS-FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端子上。所述第一和第二MOS-FET的其中一个MOS-FET的栅极与电路地连接,在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压,将这两个MOS-FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。

    降压电压输出电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1764050A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN200510114040.X

    申请日:2005-10-19

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/072

    Abstract: 一种防止在电源启动与电荷泵电路的完全启动之间的周期中负载电路中的闭锁现象;和当降压电压输出从ON转变到OFF时基底电位的迅速改变的降压电压输出电路。降压电压输出电路具有根据控制信号和定时器周期操作的定时器电路;源极连接到降压电压输出端,漏极接地,栅极通过电阻连接到电源电压输入端的第一N-沟道MOS晶体管;和源极连接到降压电压输出端,漏极连接到第一N-沟道MOS晶体管的栅极,和栅极连接到定时器电路的输出端的第二N-沟道MOS晶体管。

    半导体集成电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1763952A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN200510107134.4

    申请日:2005-09-28

    CPC classification number: H02M3/07

    Abstract: 本发明的半导体集成电路,包括:被控制电压输入端子输入的ON/OFF控制电压为ON时,根据时钟脉冲信号反复对电容器充电和放电的充电泵电路;使ON/OFF控制电压延迟的第1延迟电路;在延迟的ON/OFF控制电压为OFF时,将充电泵电路的输出与GND输入端子短接,而在ON时断开的开关;由电源输入端子及充电泵电路供给电源后驱动的第1电路块;由电源输入端子及GND输入端子供给电源后驱动的第2电路块;将第1电路块和第2电路块搭载在共同的半导体集成电路芯片上。

    增益与电源电压成正比的放大器

    公开(公告)号:CN1514250A

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN200310125460.9

    申请日:2003-12-17

    CPC classification number: H03G3/007

    Abstract: 为了获得增益与电源电压成正比的放大器,将第1和第2P沟道MOS-FET的漏-源间电压形成零偏置,以对电源电压进行了电阻分压后的电压为基准,将向高电压侧偏移了所述P沟道MOS-FET的阈值电压那部分的电压施加在运算放大器的同相输入端子上。所述第1和第2MOS-FET的其中一个MOS-FET的栅极与电路地连接,在另一个晶体管的栅极上施加以电阻分压所述电源电压后的电位为基准的负的固定电压,将这两个MOS-FET的导通电阻分别用作运算放大器的输入电阻和反馈电阻。

    半导体集成电路
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100585855C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200510107134.4

    申请日:2005-09-28

    CPC classification number: H02M3/07

    Abstract: 本发明的半导体集成电路,包括:被控制电压输入端子输入的ON/OFF控制电压为ON时,根据时钟脉冲信号反复对电容器充电和放电的充电泵电路;使ON/OFF控制电压延迟的第1延迟电路;在延迟的ON/OFF控制电压为OFF时,将充电泵电路的输出与GND输入端子短接,而在ON时断开的开关;由电源输入端子及充电泵电路供给电源后驱动的第1电路块;由电源输入端子及GND输入端子供给电源后驱动的第2电路块;将第1电路块和第2电路块搭载在共同的半导体集成电路芯片上。

    降压电压输出电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100499331C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200510114040.X

    申请日:2005-10-19

    CPC classification number: H02M3/07 H02M2003/072

    Abstract: 一种防止在电源启动与电荷泵电路的完全启动之间的周期中负载电路中的闭锁现象;和当降压电压输出从ON转变到OFF时基底电位的迅速改变的降压电压输出电路。降压电压输出电路具有根据控制信号和定时器周期操作的定时器电路;源极连接到降压电压输出端,漏极接地,栅极通过电阻连接到电源电压输入端的第一N-沟道MOS晶体管;和源极连接到降压电压输出端,漏极连接到第一N-沟道MOS晶体管的栅极,和栅极连接到定时器电路的输出端的第二N-沟道MOS晶体管。

Patent Agency Ranking