公开(公告)号：CN101546734A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910132440.1

申请日：2009-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北武司 ,  东和司

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明是一种半导体元件。在现有的半导体元件的制造方法中，由于半导体基板(2)的厚度方向的蚀刻是交替重复蚀刻工序和沉积工序来进行的，因此会在贯通孔(1)的侧壁面产生规则的凹处以作为横向的筋。其结果，利用CVD等方法沉积在贯通孔(1)的侧壁面的所述绝缘膜的膜厚的均匀性和对于侧壁面的粘附性因凹凸结构(3a)而变差。而且，由于形成在该绝缘膜上的籽晶层的膜厚的均匀性也变差，因此会看到如下现象，即此后通过利用镀覆法将导电性物质填充于贯通孔(1)而形成的贯通电极的可靠性变低。本发明的半导体元件具有半导体基板(2)、配置于半导体基板(2)的电路元件、及形成于半导体基板(2)的，在其侧壁面具有筋状凹凸结构(3)的贯通孔(1)，筋状凹凸结构(3)的筋的方向是半导体基板(2)的厚度方向。

公开(公告)号：CN101546734B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910132440.1

申请日：2009-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北武司 ,  东和司

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明是一种半导体元件。在现有的半导体元件的制造方法中，由于半导体基板(2)的厚度方向的蚀刻是交替重复蚀刻工序和沉积工序来进行的，因此会在贯通孔(1)的侧壁面产生规则的凹处以作为横向的筋。其结果，利用CVD等方法沉积在贯通孔(1)的侧壁面的所述绝缘膜的膜厚的均匀性和对于侧壁面的粘附性因凹凸结构(3a)而变差。而且，由于形成在该绝缘膜上的籽晶层的膜厚的均匀性也变差，因此会看到如下现象，即此后通过利用镀覆法将导电性物质填充于贯通孔(1)而形成的贯通电极的可靠性变低。本发明的半导体元件具有半导体基板(2)、配置于半导体基板(2)的电路元件、及形成于半导体基板(2)的，在其侧壁面具有筋状凹凸结构(3)的贯通孔(1)，筋状凹凸结构(3)的筋的方向是半导体基板(2)的厚度方向。

公开(公告)号：CN102017099A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115109.7

申请日：2009-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 甲斐隆行 ,  东和司 ,  北武司 ,  山西齐 ,  大熊崇文

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。