Patent search cpc:"H01L23/481" Page 1

1.

发明授权
半导体元件、半导体元件的制造方法及电子装置有权

公开(公告)号：CN105814670B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201480066578.5

申请日：2014-12-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐佐木直人

IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/522 , H01L27/14 , H04N5/374 , H04N101/00

CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/13 , H04N5/3658 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378

Abstract: 本发明涉及：能够抑制泄漏和裂纹产生的半导体元件；用于制造半导体元件的方法；以及电子装置。在本发明中，在金属布线的下方使用具有位于金属的CTE与Si的CTE之间的CTE值的绝缘膜，且在TSV侧壁部分，存在着使用具有良好覆盖率的P‑SiO(1μm)作为通孔内部绝缘膜的叠层结构。关于CTE位于金属的CTE与Si的CTE之间的绝缘膜，在通孔内部绝缘膜和与所述通孔内部绝缘膜连续的场域顶部绝缘膜中分别使用例如0.1μm和2μm厚度的SiOC。本发明能够应用于例如成像装置中使用的固态成像元件。

2.

发明授权
制造具有凸起接触的半导体器件的方法有权

公开(公告)号：CN105980840B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580007271.2

申请日：2015-01-14

Applicant: ams有限公司

Inventor： 约亨·克拉夫特 , 卡尔·罗拉赫尔 , 马丁·施雷姆斯

IPC: G01N27/12

CPC classification number: H01L24/02 , G01N27/12 , G01N27/128 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/114 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/13013 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。

3.

发明授权
Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极有权

公开(公告)号：CN106688085B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480081816.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 川崎浩由 , 六本木贵弘 , 相马大辅 , 佐藤勇 , 川又勇司

IPC: H01L21/60 , B22F1/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/50 , H01L23/522 , H05K3/34

CPC classification number: H01L24/13 , B22F1/00 , B23K35/0227 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3615 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/026 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L2224/11825 , H01L2224/13005 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/35 , H05K3/4015 , H05K2201/10242

Abstract: 本发明提供维氏硬度低、且算术平均粗糙度小的Cu柱、Cu芯柱、钎焊接头及硅穿孔电极。本发明的Cu柱1的纯度为99.9％以上且99.995％以下，算术平均粗糙度为0.3μm以下，维氏硬度为20HV以上且60HV以下。Cu柱1在软钎焊温度下不熔融，能够确保一定的焊点高度(基板间的空间)，因此适用于三维安装、窄间距安装。

4.

发明授权
具有敷镀通孔的器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103038156B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201180026916.9

申请日：2011-04-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 , R·施洛瑟 , J·弗莱 , H·韦伯 , E·格拉夫

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L23/481 , B81B2203/033 , B81B2207/095 , B81C1/00095 , H01L21/76837 , H01L23/04 , H01L2224/48463 , H01L2924/1461 , H01L2924/00

Abstract: 建议了一种用于实现器件中的在电方面非常可靠且在机械方面极其稳定的敷镀通孔的有利可能性，其功能在导电衬底(100)上的层结构中实现。引导到器件背侧的用于与在层结构中实现的功能元件(18)电接通的覆镀通孔(垂直互连通道VIA)(3)包括衬底(100)中的连接区域，所述连接区域在整个衬底厚度上延伸并且通过同样在整个衬底厚度上延伸的沟槽状绝缘框架(2)相对于邻接的衬底(100)电绝缘。根据本发明，所述沟槽状绝缘框架(2)以电绝缘的聚合物(21)填充。

5.

发明公开
半导体元件及其制作方法无效

公开(公告)号：CN109390353A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201710690789.1

申请日：2017-08-14

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李文深 , 智晓愿 , 陈星星 , 温晋炀

IPC: H01L27/12 , H01L23/48 , H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/02013 , H01L21/32053 , H01L21/6835 , H01L21/7624 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L21/76889 , H01L21/76897 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2224/05025 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/13091 , H01L21/84

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一基材，具有一前侧面与一背侧面，其中该基材包含一半导体层以及一埋入绝缘层；至少一晶体管，设于该半导体层上；一层间介电层，设于该前侧面，覆盖该至少一晶体管；一接触结构，贯穿该层间介电层、该半导体层及该埋入绝缘层；一硅化金属层，在该背侧面上覆盖住该接触结构的一端面；及一被动元件，设于该基材的该背侧面上，其中该接触结构电连接至该被动元件。

6.

发明公开
一种TSV通孔及其溅射工艺无效

公开(公告)号：CN109037145A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810759488.4

申请日：2018-07-11

Applicant: 宁波芯健半导体有限公司

Inventor： 李春阳 , 于政 , 方梁洪 , 罗立辉

IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , C23C14/02 , C23C14/35

CPC classification number: H01L21/76898 , C23C14/02 , C23C14/35 , H01L21/76873 , H01L23/481

Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔及其溅射工艺，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。本发明通过调整、优化溅射功率及沉积速率，能够使溅射的阻挡层和种子层更加的连续、致密；通过电镀后的通孔填充效果，确定了阻挡层和种子层最佳溅射厚度；同时开发了种子层分步溅射法，防止种子层连续溅射过程中温度过高对芯片造成的损伤，也避免连续溅射产生的膜层异常。

7.

发明授权
半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元有权

公开(公告)号：CN104425439B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410421921.5

申请日：2014-08-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 横山孝司 , 梅林拓

IPC: H01L23/52 , H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/14643 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/481 , H01L27/1203 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L27/228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元。所述半导体装置包括：半导体基板，所述半导体基板具有彼此面对的第一表面和第二表面，并且具有元件区和隔离区，所述元件区包括所述第一表面中的晶体管，并且所述隔离区包括围绕所述元件区的元件隔离层；以及接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述隔离区中从所述第一表面延伸至所述第二表面。本发明在确保设计的灵活性的同时，能够实现更高的集成度。

8.

发明授权
半导体装置有权转让

公开(公告)号：CN105990267B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201510095088.4

申请日：2015-03-04

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 筑山慧至 , 向田秀子 , 栗田洋一郎

IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H05K1/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体装置包括：第一半导体芯片，包括具第一、二表面的第一芯片主体、在第一芯片主体第一表面的第一电极、露出第一电极且覆盖第一芯片主体第一表面的第一无机保护膜、及在第一电极上的第一凸块电极；第二半导体芯片，包括具第一、二表面的第二芯片主体、在第二芯片主体第一表面的第二电极、露出第二电极且覆盖第二芯片主体第一表面的第二无机保护膜、露出第二电极且覆盖第二无机保护膜的有机保护膜、贯通第二芯片主体且与第二电极电连接的第一贯通电极、及在第二芯片主体第二表面侧且与第一贯通电极电连接的第三凸块电极；第一树脂层，在第一、二半导体芯片间且与第一无机保护膜接触；模具树脂层，覆盖第一、二半导体芯片及第一树脂层。

9.

发明公开
具有模制通孔的堆叠半导体封装及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN108878414A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201711162896.3

申请日：2017-11-21

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李尙垠 , 李炯东 , 高银

IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/98

CPC classification number: H01L25/18 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/95 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0612 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434

Abstract: 一种具有模制通孔的堆叠半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其具有第一有源表面，包括周边键合焊盘和中心键合焊盘的第一键合焊盘布置在第一有源表面的上方；第一包封构件；两个第二半导体芯片，其具有第二有源表面，第二键合焊盘在第二有源表面上方布置在一个侧周边处并且被设置成彼此分离，使得第二有源表面面对第一有源表面，并且第二键合焊盘与周边键合焊盘交叠；第一联接构件，其插置在周边键合焊盘和第二键合焊盘之间；第二包封构件，其形成在第二半导体芯片的第二侧表面上方，包括第二半导体芯片之间的区域；以及模制通孔，其通过第二包封构件的在第二半导体芯片之间的区域中的一部分形成并且与中心键合焊盘联接。