公开(公告)号：CN101107843A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002220.1

申请日：2006-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  古贺一成 ,  室岛孝广 ,  渡边研二

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/335 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/3765

Abstract: 固态摄像装置，包括：各自被设置而呈矩阵状、并分别根据入射光输出像素信号的多个单位像素21，和接收像素信号的多个浮动扩散部22。多个单位像素21中的一单位像素、和设置于与该一单位像素相邻的行且相邻的列上的其他单位像素，共同具有浮动扩散部22。

公开(公告)号：CN1808721A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005787.6

申请日：2006-01-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  古贺一成 ,  平田达也 ,  长崎博记

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035236

Abstract: 本发明的一个目标是提供可以增加光电二极管中信号电荷累积的数量的固态成像器件及其制造方法。根据本发明的固态成像器件包括：形成于p型半导体基底之上的栅电极；n型信号累积区，累积通过光电转换获得的信号电荷，且其形成于半导体基底中，使信号累积区的一部分位于栅电极之下；n型漏区，位于半导体基底中，使n型漏区穿过上述栅电极与信号累积区相对；以及p型穿通阻止区，具有高于半导体基底的杂质浓度，并形成于半导体基底中，使p型穿通阻止区位于漏区之下，其中穿通阻止区的末端比漏区的末端更接近信号累积区。