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公开(公告)号：CN1523673A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410005888.4
申请日：2004-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14806 , H01L27/14843
Abstract: 提供一种即使电源电压低、也可以完全传输光电二极管中存储的信号电荷的固体摄像装置。固体摄像装置，包括：配置在半导体基片上的多个像素单元；以及，为驱动各像素单元而设置的驱动单元；其中的各像素单元(13)包括：把入射光转换成信号电荷而存储的光电二极管(5)；为读取光电二极管(5)中存储的信号电荷而设置的传输晶体管(6)；以及，为使从光电二极管(5)到传输晶体管(6)为止的电位平滑变化而形成的电位平滑化层(1)。
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公开(公告)号：CN101107843A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002220.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/335 , H04N5/37457 , H04N5/3765
Abstract: 固态摄像装置，包括：各自被设置而呈矩阵状、并分别根据入射光输出像素信号的多个单位像素21，和接收像素信号的多个浮动扩散部22。多个单位像素21中的一单位像素、和设置于与该一单位像素相邻的行且相邻的列上的其他单位像素，共同具有浮动扩散部22。
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公开(公告)号：CN1649161A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410068384.7
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 一种固态成像装置，包括以两维形式设置在半导体衬底(1)上的若干个像素(2)。在每个像素中的预定区域中形成用于接收入射光(11)的光敏区(3)，并且每个像素包括用于将入射光转换成信号电荷的光电转换部分(4)。在至少一些像素中，当从半导体衬底的主表面正上方观看时，光敏区的中心偏离像素的中心。每个像素还包括光路改变部件(12a)和(12b)，用于偏转向像素中心行进的入射光，使其射向光敏区的中心。因此，提供一种同时实现像素小型化和高图像质量的固态成像装置。
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公开(公告)号：CN100407434C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510065266.5
申请日：2005-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/035281 , H01L31/03529
Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器，其包括具有多个象素的半导体衬底1，并且每个象素包括杂质层2、光电转换层4、读出区域5和栅电极7。该杂质层2包括与位于栅电极7下紧挨栅电极7的衬底1的一部分相邻的邻接部分。该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的子部分2a、2b和2c，所述栅极的宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直。包含该邻接部分的中心的子部分2a中的杂质浓度低于子部分2b和2c中的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1866530A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082499.0
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 在(a)沿用于隔离像素单元的沟槽表面形成的缺陷控制层和(a)光电二极管之间的边界的部分中形成反型层。缺陷控制层为P型，光电二极管和反型层为N型。这里，反型层中的杂质浓度是光电二极管中杂质浓度的至少两倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1808721A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610005787.6
申请日：2006-01-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L21/822 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/035236
Abstract: 本发明的一个目标是提供可以增加光电二极管中信号电荷累积的数量的固态成像器件及其制造方法。根据本发明的固态成像器件包括：形成于p型半导体基底之上的栅电极；n型信号累积区，累积通过光电转换获得的信号电荷，且其形成于半导体基底中，使信号累积区的一部分位于栅电极之下；n型漏区，位于半导体基底中，使n型漏区穿过上述栅电极与信号累积区相对；以及p型穿通阻止区，具有高于半导体基底的杂质浓度，并形成于半导体基底中，使p型穿通阻止区位于漏区之下，其中穿通阻止区的末端比漏区的末端更接近信号累积区。
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公开(公告)号：CN1697192A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510009599.6
申请日：2005-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/035272
Abstract: 在半导体衬底(10)的主表面中形成光电二极管(20a、20b)。光电二极管(20a)包括P+型半导体层(22a)和电荷积累部分(21a)，光电二极管(20b)包括P+型半导体层(22b)和电荷积累部分(21b)。光电二极管(20a和20b)由具有STI结构的元件隔离部分(33a)分开。构成光电二极管(20a和20b)的电荷积累部分(21a和21b)的底部位于到半导体衬底(10)的主表面比到元件隔离部分(33a)的底部更深的位置上。这样，可以提供一种固态成像装置，其中可以防止色彩混合并且电荷积累部分的容量大，并且灵敏性和饱和特性优异。
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公开(公告)号：CN1684269A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN200510065266.5
申请日：2005-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/035281 , H01L31/03529
Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器，其包括具有多个象素的半导体衬底1，并且每个象素包括杂质层2、光电转换层4、读出区域5和栅电极7。该杂质层2包括与位于栅电极7下紧挨栅电极7的衬底1的一部分相邻的邻接部分。该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的子部分2a、2b和2c，所述栅极的宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直。包含该邻接部分的中心的子部分2a中的杂质浓度低于子部分2b和2c中的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN100463195C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410068384.7
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 一种固态成像装置，包括以两维形式设置在半导体衬底(1)上的若干个像素(2)。在每个像素中的预定区域中形成用于接收入射光(11)的光敏区(3)，并且每个像素包括用于将入射光转换成信号电荷的光电转换部分(4)。在至少一些像素中，当从半导体衬底的主表面正上方观看时，光敏区的中心偏离像素的中心。每个像素还包括光路改变部件(12a)和(12b)，用于偏转向像素中心行进的入射光，使其射向光敏区的中心。因此，提供一种同时实现像素小型化和高图像质量的固态成像装置。
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公开(公告)号：CN100461434C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410005888.4
申请日：2004-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14806 , H01L27/14843
Abstract: 提供一种即使电源电压低、也可以完全传输光电二极管中存储的信号电荷的固体摄像装置。固体摄像装置，包括：配置在半导体基片上的多个像素单元；以及，为驱动各像素单元而设置的驱动单元；其中的各像素单元(13)包括：把入射光转换成信号电荷而存储的光电二极管(5)；为读取光电二极管(5)中存储的信号电荷而设置的传输晶体管(6)；以及，为使从光电二极管(5)到传输晶体管(6)为止的电位平滑变化而形成的电位平滑化层(1)。
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