公开(公告)号：CN101140546A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710149508.8

申请日：2007-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉冈和树 ,  中根让治 ,  间野良隆

IPC: G06F12/16 ,  G11C7/20 ,  G06K19/073

CPC classification number: G11C7/20 ,  G11C16/20 ,  G11C29/72

Abstract: 根据本发明的半导体器件，包括第一非易失性存储器、存储有初始数据的第二非易失性存储器，和用于初始化第一非易失性存储器的初始化控制器，其中，第二非易失性存储器的抗应力特性高于第一非易失性存储器的抗应力特性，并且初始化控制器在第一非易失性存储器被初始化时从第二非易失性存储器读取初始数据，并将所读取的初始数据复制在第一非易失性存储器中，以初始化第一非易失性存储器。

公开(公告)号：CN101253413A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031893.X

申请日：2006-08-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉冈和树

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/31719 ,  G01R31/31701

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，即使非易失性存储器所存储的测试模式控制标志的数据因故障等而发生位数变化，也可以充分地确保安全性，并且不使制造时的成品率降低。本发明的半导体装置，包括：非易失性存储器(1)，在规定地址记忆测试模式控制码；产生部(3)，产生示出测试模式的禁止/允许的固定值；以及汉明距离判断电路(4)，按照所述控制码和所述固定值之间的汉明距离是否在规定数以下，控制向所述测试模式的转移。