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公开(公告)号：CN101140546A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149508.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16 , G11C7/20 , G06K19/073
Abstract: 根据本发明的半导体器件，包括第一非易失性存储器、存储有初始数据的第二非易失性存储器，和用于初始化第一非易失性存储器的初始化控制器，其中，第二非易失性存储器的抗应力特性高于第一非易失性存储器的抗应力特性，并且初始化控制器在第一非易失性存储器被初始化时从第二非易失性存储器读取初始数据，并将所读取的初始数据复制在第一非易失性存储器中，以初始化第一非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1518107A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410001841.0
申请日：2004-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , G06K19/07
CPC classification number: G05F1/465
Abstract: 一种半导体装置，包括：降低电源电压(VDD)而输出内部电压(VINT)的降压电路(11)、与内部电压连接的非易失性存储器(13)、具有开关晶体管(PN1)和电阻器(R3)的消耗电流控制电路(14)。在此，非易失性存储器消耗的电流量与电阻器消耗的电流量大体上一致。消耗电流控制电路，利用存储器活化信号(RACT)，在非易失性存储器不动作时让开关晶体管处于导通状态，消耗与非易失性存储器消耗的电流量大体相同的电流量，而在非易失性存储器动作时让开关晶体管处于截止状态，停止电阻器的电流消耗。这样，即使内部电路从停止状态变换到动作状态的变化情况下、也能供给稳定的电压。
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公开(公告)号：CN100449568C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580003901.5
申请日：2005-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06K19/0701 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 为了实现在延长非接触型信息介质(半导体集成电路)和与该非接触型信息介质在非接触状态下进行通信的读写器之间可进行通信的距离，并从非接触型信息介质向读写器返回数据时，即使电源电压降低，也能稳定地进行数据的收发，在从非接触型信息介质返回数据的情况下，在能够以比非易失性存储器电路部(300)低的电压动作的逻辑电路部(200)中，保持应返回的数据，在数据被返回的期间，使在复位产生电路(160)中采用的复位检测下限电压比此之外的期间降低。
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公开(公告)号：CN1914629A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003901.5
申请日：2005-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06K19/0701 , G06K19/0707 , G06K19/0712 , G06K19/0723
Abstract: 为了实现在延长非接触型信息介质(半导体集成电路)和与该非接触型信息介质在非接触状态下进行通信的读写器之间可进行通信的距离，并从非接触型信息介质向读写器返回数据时，即使电源电压降低，也能稳定地进行数据的收发，在从非接触型信息介质返回数据的情况下，在能够以比非易失性存储器电路部(300)低的电压动作的逻辑电路部(200)中，保持应返回的数据，在数据被返回的期间，使在复位产生电路(160)中采用的复位检测下限电压比此之外的期间降低。
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公开(公告)号：CN1040706C
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN93112773.4
申请日：1993-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 位线BL0、/BL0接读出放大器。第1MOS晶体管Qn栅极、源极和漏极分别接第1字线WL0、第1强电介质电容C
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1115099A
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN94113672.8
申请日：1994-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种半导体存储装置，其组成包括：位线，字线，单元平板电极，由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元，以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后，通过使开关元件处于导通状态，将电容与位线连接，因而位线电容值变得不确切，无法读出正确的数据。
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公开(公告)号：CN1091544A
公开(公告)日：1994-08-31
申请号：CN93112773.4
申请日：1993-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 位线BL0、/BL0接读出放大器。第1MOS晶体管Qn栅极、源极和漏极分别接第1字线WL0、第1强电介质电容Cs1的第1电极和BL0，Cs1的第2电极接第1板极CP0。第2MOS晶体管Qn的栅极、源极和漏极分别接第2字线DWL0、第2电容Cd2的第1电极和/BL0，Cd2的第2电极接第2板极DCP0。第2Qn关断后DCP0的逻辑电压反转。由此，采用强电介质的半导体存储装置可进行存储电容初始化，而且功耗不集中，能高速读出。
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公开(公告)号：CN100525135C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN00130436.4
申请日：2000-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B5/00
CPC classification number: G06K19/0723
Abstract: 一种非接触式IC卡，其作用是检波经ASK调制过的载波的包络线和对载波进行解调以恢复承载在载波上的数据。在这种非接触式IC卡中，在承载在载波上的数字数据的数据值不可能变化(从数据0变成数据1，或从数据1变成数据0)期间暂缓进行解调操作。通过这样做，即使电源电压波形中因内部存储器等耗电而出现杂波时也可以避免数据错误恢复。
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公开(公告)号：CN1271713C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410001841.0
申请日：2004-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , G06K19/07
CPC classification number: G05F1/465
Abstract: 一种半导体装置，包括：降低电源电压(VDD)而输出内部电压(VINT)的降压电路(11)、与内部电压连接的非易失性存储器(13)、具有开关晶体管(PN1)和电阻器(R3)的消耗电流控制电路(14)。在此，非易失性存储器消耗的电流量与电阻器消耗的电流量大体上一致。消耗电流控制电路，利用存储器活化信号(RACT)，在非易失性存储器不动作时让开关晶体管处于导通状态，消耗与非易失性存储器消耗的电流量大体相同的电流量，而在非易失性存储器动作时让开关晶体管处于截止状态，停止电阻器的电流消耗。这样，即使内部电路从停止状态变换到动作状态的变化情况下、也能供给稳定的电压。
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公开(公告)号：CN1203446C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN00121638.4
申请日：2000-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/0701 , G06K19/0723 , H02M2001/0022 , H02M2001/0025
Abstract: 一种半导体集成电路，其驱动电源来自调制有数据的载波，该半导体集成电路的特征在于即使在所得到的电源电压已变为过电压时也能够正确地鉴别解调数据，并能够有效地利用载波提供的电源。该半导体集成电路包括：作为电源电路111的一个两电压整流器电路；控制用于解调数据的具有较高电压(VDDH)的电源不超过一定的电压值的一个稳压器电路112；一个电阻141；和一个电容器142。采用这种结构，作为参考电压输入到稳压器电路1121的电压随由幅度的变化引起的电压VDDH的变化而变化。
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