公开(公告)号：CN1741283A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510076135.7

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 国政泰弘 ,  濑川瑞树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/535 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：抑制因栅极电极布线上的硅化物层的断线而引起的栅极电极布线的高电阻化。在半导体衬底101的活性区域上形成栅极电极104a的同时，在围绕该活性区域的元件隔离绝缘膜102上形成由与栅极电极104a一样的材料构成的栅极布线104b。在栅极电极104a及栅极布线104b的各侧面形成绝缘性侧壁105后，将在栅极布线104b的至少一部分侧面形成的绝缘性侧壁105除去。在栅极电极104a和栅极布线104b的各上面、以及在栅极布线104b的侧面的被除去了绝缘性侧壁105的部分上，形成硅化物层108。