公开(公告)号：CN1725509A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510089308.9

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体包括：半导体衬底；形成在上述半导体衬底中、含有用于生成载流子的第1种导电类型杂质的MOS型场效应晶体管的源区和漏区；含有氮的氮扩散层，其中的氮在因与半导体原子的碰撞而导致的缺陷不超过检测基准值的状态下导入包括上述源区和漏区的至少一部分的区域；上述源区和漏区内的上述第1种导电类型杂质的浓度分布从半导体衬底内靠近表面的区域的最大浓度位置向着上述半导体衬底的纵深方向减少，同时在达到上述最大浓度位置下方的规定位置之前其减少比率较大，而在比上述规定位置还向纵深方向的区域上减少比率较小。

公开(公告)号：CN1163489A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102164.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种设有高性能且可靠性高的MOS型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离4的硅衬底1上边形成栅极氧化膜2和栅极电极3。其次用4步大倾角离子注入法从25°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜2的两个端部形成氮氧化层5a，在硅衬底1内形成氮扩散层6a。之后，通过注入杂质离子以形成低浓度源·漏区7；在栅极电极3的两侧面上形成侧壁8之后，通过注入杂质离子以形成高浓度源漏区9。

公开(公告)号：CN1236501C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN97102164.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种设有高性能且可靠性高的MOS型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离4的硅衬底1上边形成栅极氧化膜2和栅极电极3。其次用4步大倾角离子注入法从25°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜2的两个端部形成氮氧化层5a，在硅衬底1内形成氮扩散层6a。之后，通过注入杂质离子以形成低浓度源·漏区7；在栅极电极3的两侧面上形成侧壁8之后，通过注入杂质离子以形成高浓度源漏区9。

公开(公告)号：CN100426525C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510089308.9

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体包括：半导体衬底；形成在上述半导体衬底中、含有用于生成载流子的第1种导电类型杂质的MOS型场效应晶体管的源区和漏区；含有氮的氮扩散层，其中的氮在因与半导体原子的碰撞而导致的缺陷不超过检测基准值的状态下导入包括上述源区和漏区的至少一部分的区域；上述源区和漏区内的上述第1种导电类型杂质的浓度分布从半导体衬底内靠近表面的区域的最大浓度位置向着上述半导体衬底的纵深方向减少，同时在达到上述最大浓度位置下方的规定位置之前其减少比率较大，而在比上述规定位置还向纵深方向的区域上减少比率较小。

公开(公告)号：CN1741283A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510076135.7

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 国政泰弘 ,  濑川瑞树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/535 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：抑制因栅极电极布线上的硅化物层的断线而引起的栅极电极布线的高电阻化。在半导体衬底101的活性区域上形成栅极电极104a的同时，在围绕该活性区域的元件隔离绝缘膜102上形成由与栅极电极104a一样的材料构成的栅极布线104b。在栅极电极104a及栅极布线104b的各侧面形成绝缘性侧壁105后，将在栅极布线104b的至少一部分侧面形成的绝缘性侧壁105除去。在栅极电极104a和栅极布线104b的各上面、以及在栅极布线104b的侧面的被除去了绝缘性侧壁105的部分上，形成硅化物层108。