自停止电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101410909A

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200780010823.0

    申请日:2007-10-30

    CPC classification number: G11C16/22 G11C16/349

    Abstract: 本发明提供一种自停止电路,具有非易失性存储元件(20)、用于控制对该非易失性存储元件(20)的电荷充放电的写入端子(50)以及擦除电路(30),由判断电路(40)检测存储在非易失性存储元件(20)中的电荷量低于阈值的情况并检测经过时间。由此,检测出产品寿命是否已尽,并停止或变更寿命已尽的产品的工作。在希望恢复工作的情况下,通过向非易失性存储元件(20)再次注入电荷、或者从外部端子(53)向判断电路(40)供给取消信号来实现工作的恢复。

    半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101026156A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710004231.X

    申请日:2007-01-18

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件不需要增加探针的数量,能够实施高精度的老化和探针测试。分别对测试专用电源焊盘(303)提供电源电位,对测试专用接地焊盘(313)提供接地电位。提供给测试专用电源焊盘(303)的电源电位,经由测试专用电源布线(203)、由二极管元件(500、501、502)构成的电位传送电路(420、421、422),分别传送到电源布线(200、201、202),然后提供给电路块(100、101、102)。虽然由二极管元件(500~502)产生电压降,但通过设定二极管元件(500~502)的大小、电位传送电路(420~422)的电阻成分,以使对电源布线(200~202)分别均匀地产生电压降,由此能够不使半导体集成电路(10)内产生电压不均匀地实施晶片级老化和探针测试。

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