半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101263587A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200680033174.1

    申请日:2006-07-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其在将焊盘交互错开配置来作为与LSI上的外部封装连接的焊盘配置的交错焊盘配置中,可消除产生组装时的金属丝短路、避免金属丝短路引起的芯片尺寸增加、由于使IO单元间隔紧凑引起的电源、GND噪声的传播、由于焊盘位置错开引起的信号传达延迟差等。在该半导体装置中,沿半导体元件的周边配置有2列与所述半导体元件上的外部封装的功能端子连接的多个焊盘,其中,半导体元件上的多个焊盘的排列顺序和所述外部封装中的所述功能端子的排列顺序不同。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101026156A

    公开(公告)日:2007-08-29

    申请号:CN200710004231.X

    申请日:2007-01-18

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件不需要增加探针的数量,能够实施高精度的老化和探针测试。分别对测试专用电源焊盘(303)提供电源电位,对测试专用接地焊盘(313)提供接地电位。提供给测试专用电源焊盘(303)的电源电位,经由测试专用电源布线(203)、由二极管元件(500、501、502)构成的电位传送电路(420、421、422),分别传送到电源布线(200、201、202),然后提供给电路块(100、101、102)。虽然由二极管元件(500~502)产生电压降,但通过设定二极管元件(500~502)的大小、电位传送电路(420~422)的电阻成分,以使对电源布线(200~202)分别均匀地产生电压降,由此能够不使半导体集成电路(10)内产生电压不均匀地实施晶片级老化和探针测试。

    半导体装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100573841C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200680033174.1

    申请日:2006-07-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其在将焊盘交互错开配置来作为与LSI上的外部封装连接的焊盘配置的交错焊盘配置中,可消除产生组装时的金属丝短路、避免金属丝短路引起的芯片尺寸增加、由于使IO单元间隔紧凑引起的电源、GND噪声的传播、由于焊盘位置错开引起的信号传达延迟差等。在该半导体装置中,沿半导体元件的周边配置有2列与所述半导体元件上的外部封装的功能端子连接的多个焊盘,其中,半导体元件上的多个焊盘的排列顺序和所述外部封装中的所述功能端子的排列顺序不同。

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