公开(公告)号：CN1306568C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410059250.9

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下武志 ,  山口峰生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70608 ,  H01J37/32935

Abstract: 提供一种终点检测方法，通过在硅氧化膜(105A)及多晶硅膜(104)上照射光，测定由来自这些膜的反射光所形成的干涉光。求出波长为600nm的干涉光强度与波长范围在400nm到800nm的干涉光强度的积分值之间的比。这样，由于可以从所测定的干涉光波形中除去硅氧化膜(105A)产生的干涉成份，可以算出在多晶硅膜(104)产生的干涉光波形。最后，根据所算出的干涉光波形求出多晶硅膜(104)的残留厚度，通过对该残留厚度与所需厚度进行比较，检测加工多晶硅膜(104)时的加工终点。这样，利用在被处理层上形成的掩模层能准确检测加工被处理层时的终点。

公开(公告)号：CN111370433A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910956285.9

申请日：2019-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  TOWERJAZZ松下半导体有限公司

Inventor： 境田良太 ,  佐藤好弘 ,  佐伯幸作 ,  堂下秀树 ,  山下武志

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请提供摄像装置以及其制造方法。本申请的一个形态所涉及的摄像装置(100)具备半导体衬底(60)和多个像素(10)，多个像素(10)的每一个具备：光电转换部(12)，将入射光转换为电荷；第1扩散区域(67n)，位于半导体衬底(60)中，与光电转换部(12)电连接；复位晶体管(26)，包括第1扩散区域(67n)且具备栅极电极(26e)，并将第1扩散区域(67n)用作源极以及漏极的一方；接触插头(cp1)，与第1扩散区域(67n)直接连接，并与光电转换部(12)电连接，以半导体衬底(60)的表面为基准，接触插头(cp1)的高度与栅极电极(26e)的高度彼此相等。

公开(公告)号：CN1574245A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059250.9

申请日：2004-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下武志 ,  山口峰生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70608 ,  H01J37/32935

Abstract: 提供一种终点检测方法，通过在硅氧化膜(105A)及多晶硅膜(104)上照射光，测定由来自这些膜的反射光所形成的干涉光。求出波长为600nm的干涉光强度与波长范围在400nm到800nm的干涉光强度的积分值之间的比。这样，由于可以从所测定的干涉光波形中除去硅氧化膜(105A)产生的干涉成分，可以算出在多晶硅膜(104)产生的干涉光波形。最后，根据所算出的干涉光波形求出多晶硅膜(104)的残留厚度，通过对该残留厚度与所需厚度进行比较，检测加工多晶硅膜(104)时的加工终点。这样，利用在被处理层上形成的掩模层能准确检测加工被处理层时的终点。