公开(公告)号：CN1649101A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410089891.9

申请日：2004-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  山口恒夫 ,  田村彰良

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31133 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明是以提供一种不会使化合物半导体装置的特性降低而可以去除有机残留物的化合物半导体装置的制造方法为目的。在露出的i型AlGaAs肖特基层(105)上蒸镀由Ti/Al/Ti构成的肖特基电极(111)，使用剥离液进行提离后，用臭氧浓度为13mg/L的臭氧水和氢离子浓度为6～8的氢水之中的一种或两种在避光状态下对i型AlGaAs肖特基层(105)表面进行清洗。