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公开(公告)号：CN1298005C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN02127860.1
申请日：2002-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山岸未果
Abstract: 一种电子管阴极，包括发射极层30，发射极层的主要成分是氧化钡，还包括用作掺杂物的金属和/或金属氧化物。发射极层在基底金属20上形成，基底金属的主要成分是镍，还包括如镁这样的还原剂。镁，钡和掺杂物的克分子比表示为Y∶1000∶X，当Y值和X值表示为XY坐标时，其中X坐标是X值、Y坐标是Y值；X值和Y值位于由连接各点(0.7，6)，(0.8，15)，(3，130)，(3，30)，(2.5，10)，(2，0.1)和(1，0.1)的直线所限定的范围内。
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公开(公告)号：CN1159745C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN99815219.6
申请日：1999-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山岸未果
CPC classification number: H01J1/20 , H01J2201/193
Abstract: 在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层的阴极中，如果基体的层形成面为A、基体和电子发射物质层的接触面积为B，则0.24≤B/A≤0.93。此外，如果基体的厚度为C、电子发射物质层的厚度为D，则0.4≤D/C≤0.7。这样，可提供可获得充分的电子发射、工作中电子发射随时间的减小少、截止电压的变动小的阴极结构体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1427439A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02151882.3
申请日：2002-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的阴极套筒构造体包括：容纳部件，形成为筒状，使一端开口；多个支撑部件，形成为长尺状，从所述容纳部件的所述开口边缘放射状地伸出，与所述容纳部件一体成形；以及多个连结部件，分别与相邻的所述支撑部件之间相连结，与所述支撑部件一体成形。
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公开(公告)号：CN1762035A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480006920.9
申请日：2004-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山岸未果
Abstract: 一种间热型阴极，包括：收纳加热器(1)的阴极套管(2)、设置在阴极套管(2)上的帽状基体(3)、形成在基体(3)表面上的电子放射物质层(4)，其中，阴极套管(2)由金属材料形成，该金属材料以镍和铬为主成分，并且，至少含有硅、铝、硒以及镧。由此，能得到可防止阴极套管(2)的热变形且可抑制截止电压变动的可信赖的间热型电极。
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公开(公告)号：CN1414600A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02152918.3
申请日：2002-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J29/48
Abstract: 本发明所涉及的电子枪，其特征在于，包括具有通孔的绝缘基板，向阴极结构体的灯丝提供电力的导电性支撑部件被焊接到粘贴在上述绝缘基板的电子管芯柱侧上的供电部件上。根据这样的构成，不需要单独设置用于支撑灯丝的部件，因此，能够降低电子枪的管轴方向的大小。而且，该导电性支撑部件，把绝缘部件作为用于向阴极提供电压的线路板，因此，能够实现薄型的阴极射线管装置。而且，能够改善电子枪的装配精度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN1400621A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127860.1
申请日：2002-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山岸未果
Abstract: 一种电子管阴极，包括发射极层30，发射极层的主要成分是氧化钡，还包括用作掺杂物的金属和/或金属氧化物。发射极层在基底金属20上形成，基底金属的主要成分是镍，还包括如镁这样的还原剂。镁，钡和掺杂物的克分子比表示为Y∶1000∶X，当Y值和X值表示为XY坐标时，其中X坐标是X值、Y坐标是Y值；X值和Y值位于由连接各点(0.7，6)，(0.8，15)，(3，130)，(3，30)，(2.5，10)，(2，0.1)和(1，0.1)的直线所限定的范围内。
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公开(公告)号：CN1332886A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN99815219.6
申请日：1999-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山岸未果
CPC classification number: H01J1/20 , H01J2201/193
Abstract: 在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层的阴极中,如果基体的层形成面为A、基体和电子发射物质层的接触面积为B,则0.24≤B/A≤0.93。此外,如果基体的厚度为C、电子发射物质层的厚度为D,则0.4≤D/C≤0.7。这样,可提供可获得充分的电子发射、工作中电子发射随时间的减小少、截止电压的变动小的阴极结构体。
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