公开(公告)号：CN1332886A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN99815219.6

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山岸未果

IPC: H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/20 ,  H01J2201/193

Abstract: 在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层的阴极中,如果基体的层形成面为A、基体和电子发射物质层的接触面积为B,则0.24≤B/A≤0.93。此外,如果基体的厚度为C、电子发射物质层的厚度为D,则0.4≤D/C≤0.7。这样,可提供可获得充分的电子发射、工作中电子发射随时间的减小少、截止电压的变动小的阴极结构体。

公开(公告)号：CN1159745C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99815219.6

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山岸未果

IPC: H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/20 ,  H01J2201/193

Abstract: 在包含还原性元素的基体上形成电子发射物质层的阴极中，如果基体的层形成面为A、基体和电子发射物质层的接触面积为B，则0.24≤B/A≤0.93。此外，如果基体的厚度为C、电子发射物质层的厚度为D，则0.4≤D/C≤0.7。这样，可提供可获得充分的电子发射、工作中电子发射随时间的减小少、截止电压的变动小的阴极结构体。