公开(公告)号：CN1534638A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层105、Ti层110a和110b、Au层111a和111b、散热层113和焊料层114覆盖的p型层100。在Au层111b上设置并固定半导体激光器元件10。散热层113插入在Au层111a和Ti层110b之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元50在它的表面处包括作为反射层的Al层116和介电层117，其为蓝光激光束提供高折射率。

公开(公告)号：CN1270418C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: H01S5/30 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层(105)、Ti层(110a)和(110b)、Au层(111a)和(111b)、散热层(113)和焊料层(114)覆盖的p型层(100)。在Au层(111b)上设置并固定半导体激光器元件(10)。散热层(113)插入在Au层(111a)和Ti层(110b)之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元(50)在它的表面处包括作为反射层的Al层(116)和介电层(117)，其为蓝光激光束提供高折射率。