公开(公告)号：CN1117419C

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1534638A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层105、Ti层110a和110b、Au层111a和111b、散热层113和焊料层114覆盖的p型层100。在Au层111b上设置并固定半导体激光器元件10。散热层113插入在Au层111a和Ti层110b之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元50在它的表面处包括作为反射层的Al层116和介电层117，其为蓝光激光束提供高折射率。

公开(公告)号：CN1201559A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN96197975.5

申请日：1996-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大户口勳 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  福久敏哉 ,  高森晃

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/127 ,  H01S3/1118 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/0615 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 在一n型GaAS基底701上分别形成一n型GaAS缓冲层702,n型AlGaInP包层703,由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性,且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1270418C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: H01S5/30 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层(105)、Ti层(110a)和(110b)、Au层(111a)和(111b)、散热层(113)和焊料层(114)覆盖的p型层(100)。在Au层(111b)上设置并固定半导体激光器元件(10)。散热层(113)插入在Au层(111a)和Ti层(110b)之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元(50)在它的表面处包括作为反射层的Al层(116)和介电层(117)，其为蓝光激光束提供高折射率。

公开(公告)号：CN1125519C

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN00106200.X

申请日：2000-05-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西俊一 ,  足立秀人 ,  万浓正也 ,  高森晃

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/30

Abstract: 一种半导体激光装置包括：第一导电型的半导体基片；基片上的第一导电型涂层；第一导电型涂层上的有源层，有源层具有超点阵结构，在激光腔端面附近有一无序化区；有源层上的第二导电型的第一涂层；第一涂层上的第二导电型的蚀刻停止层；蚀刻停止层上的第二导电型的第二涂层，第二涂层形成一凸脊结构，沿激光腔纵向伸展，具有预定宽度。蚀刻停止层中在激光腔端面附近的杂质浓度比激光腔内部的大，等于或小于约2×1018cm-3。