公开(公告)号：CN1388593A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN02141086.0

申请日：2002-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋崎丰幸 ,  大泽胜市 ,  茶藤哲夫 ,  志水雄三

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623

Abstract: 一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层。

公开(公告)号：CN1228860C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN02141086.0

申请日：2002-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋崎丰幸 ,  大泽胜市 ,  茶藤哲夫 ,  志水雄三

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623

Abstract: 一种半导体装置，具备第一导电型半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层；形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层内，调整为第一导电型的第一杂质层；和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层，所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。