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公开(公告)号：CN1901363A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106111.6
申请日：2006-07-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/08 , H03F3/087 , H03F3/45085 , H03F2203/45618 , H03F2203/45722 , H03F2203/45728
Abstract: 提供一种受光放大电路，能防止在具备限幅电路的受光放大电路中限幅动作时的振荡，并且能自由设定限幅电压。本发明的受光放大电路具备：光电二极管(1)、运算放大器(20)、运算放大器(20)的输出端子与反转输入端子之间连接的变换电阻(11)、使运算放大器(20)的输出电压限幅在规定值的限幅电路。限幅电路具备检测运算放大器的输出电压变化的PNP晶体管(12)及与其基极相连接的电压源(14)，随着构成运算放大器(20)的输出增幅级的NPN晶体管(9)的发射极电位的上升，当PNP晶体管(12)导通，电压源(14)的电压通过PNP晶体管(12)供给NPN晶体管(9)的基极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599993A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02824445.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04B10/504
Abstract: 一种光传输装置，其目的在于，防止由于软件等原因，输入端子的电压固定在高电压状态的情况下，发光二极管持续发光，以及在PDA、手机等设备中，发生电池断电，发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此，在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级，设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。
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公开(公告)号：CN1388593A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02141086.0
申请日：2002-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623
Abstract: 一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层。
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公开(公告)号：CN1901363B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610106111.6
申请日：2006-07-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/08 , H03F3/087 , H03F3/45085 , H03F2203/45618 , H03F2203/45722 , H03F2203/45728
Abstract: 提供一种受光放大电路，能防止在具备限幅电路的受光放大电路中限幅动作时的振荡，并且能自由设定限幅电压。本发明的受光放大电路具备：光电二极管(1)、运算放大器(20)、运算放大器(20)的输出端子与反转输入端子之间连接的变换电阻(11)、使运算放大器(20)的输出电压限幅在规定值的限幅电路。限幅电路具备检测运算放大器的输出电压变化的PNP晶体管(12)及与其基极相连接的电压源(14)，随着构成运算放大器(20)的输出增幅级的NPN晶体管(9)的发射极电位的上升，当PNP晶体管(12)导通，电压源(14)的电压通过PNP晶体管(12)供给NPN晶体管(9)的基极。
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公开(公告)号：CN1312862C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02824445.1
申请日：2002-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种光传输装置，其目的在于，防止由于软件等原因，输入端子的电压固定在高电压状态的情况下，发光二极管持续发光，以及在PDA、手机等设备中，发生电池断电，发光二极管遭到损坏等各种问题的发生。因此，在驱动光传输用的发光二极管(8)的发光元件驱动电路(23)的前级，设置有使由脉冲波形构成的光传输用输入信号的高频成分通过的高通滤波器(21)和将高通滤波器(21)的输出信号二值化并返回脉冲波形的二值化电路(22)。
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公开(公告)号：CN1228860C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02141086.0
申请日：2002-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/8249 , H01L27/0623
Abstract: 一种半导体装置，具备第一导电型半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层；形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层；形成于所述第一半导体层内，调整为第一导电型的第一杂质层；和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层，所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。
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