公开(公告)号：CN102097746A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010581350.3

申请日：2010-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤昭吉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0425 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0601 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明提供一种能够实现高输出、长寿命及低动作电压的半导体激光装置及其制造方法。在基板(1)上依次层叠有第一半导体层(2)、活性层(4)、第二半导体层(6)及接触层(7)。在第二半导体层(6)及接触层(7)上，设置有在谐振器两端面间延伸的脊部(6a)。按照与脊部(6a)相接的方式形成有电流狭窄层(8a)。电流狭窄层在脊部的上表面上具有开口部。在该开口部内，形成有与接触层相接的第一电极(9)。在第一电极上形成有第二电极(10)。在谐振器端面附近的脊部的上表面上，设置有与接触层(7)相接的电流非注入部(8b)。电流狭窄层与电流非注入部由同一电介质膜(8)构成。第二电极被设置成与电流非注入部的上表面区域分开。

公开(公告)号：CN1877801A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091632.9

申请日：2006-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤昭吉 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/808

Abstract: 一种能抑制栅区内的P层杂质的不均匀性并得到良好的pn结特性结型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在预定为在GaAs衬底(1)上形成的n+－AlGaAs层(5)的、设置栅电极的区域的表面，利用溅射法来薄膜状地沉积ZnO(7)的工序；进行利用急热和急冷热处理的杂质扩散来形成p型栅区(8)的工序；利用由酒石酸等的湿蚀刻除去上述ZnO(7)，使上述p型栅区(8)露出的工序；以及在上述露出的p型栅区(8)设置栅电极(9)的工序。