公开(公告)号：CN103098189B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180043623.1

申请日：2011-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雄介 ,  田村聪之 ,  按田义治 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。

公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN110914961A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880045120.X

申请日：2018-06-07

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 施泓安 ,  中泽敏志 ,  鹤见直大 ,  按田义治 ,  渡部平司 ,  志村考功 ,  细井卓治 ,  野崎干人 ,  山田高宽

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置(1)具备：MIS构造，具有依次层叠的氮化物半导体层(30，40)、栅极绝缘膜(50)及栅极电极(60g)；源极电极(60s)及漏极电极(60d)，在平面视中配置成将栅极电极(60g)夹在中间，分别与氮化物半导体层(30，40)接触，栅极绝缘膜(50)包括由氮氧化膜构成的阈值控制层。

公开(公告)号：CN103597588A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280025683.5

申请日：2012-06-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 海原一裕 ,  按田义治

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物半导体装置，具有：第一电极布线层，其在氮化物半导体层上相互平行地形成，并且在长度方向上被各自分割；第一栅极电极，其沿着第一电极布线层形成；第一栅极电极汇总布线，其形成在第一电极布线层被分割的区域，并与第一栅极电极连接；第一电极汇总布线(13a)，其形成在第一栅极电极汇总布线上，并与第一电极布线层连接；以及第一电极上层布线(20a)，其在形成于第一电极汇总布线上的布线上绝缘膜(16)上形成，并介由布线上绝缘膜的开口部而与第一电极汇总布线连接。

公开(公告)号：CN103493205A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018873.4

申请日：2012-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  按田义治

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/08 ,  H01L29/152 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475

Abstract: 一种肖特基二极管，具有：半导体层层叠体，其包括在基板(1)上形成的GaN层(4b)、以及在该GaN层上形成并且与GaN层相比带隙更大的AlGaN层(4a)；阳极电极(6)以及阴极电极(7)，它们在该半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及阻挡层(5)，在阳极电极(6)与阴极电极(7)之间的区域形成为与AlGaN层相接。阳极电极的一部分以不与AlGaN层的表面相接的方式形成在阻挡层上。阳极电极与阻挡层的势垒高度大于阳极电极与AlaN层的势垒高度。

公开(公告)号：CN102484124A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN102239550A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148577.4

申请日：2009-11-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  石田秀俊 ,  上田哲三

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道。

公开(公告)号：CN1877838A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610093567.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  田村彰良 ,  谷内宽直

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/7605 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件，包括用InGaP层作为在表面露出的半导体层的半导体电阻元件，能够提高元件隔离耐压。本发明的半导体器件具有：FET(21)，其包括沟道层(3)、以及形成在沟道层(3)上且由非掺杂的InGaP构成的肖特基层(7)；以及半导体电阻元件(22)，其包括利用元件隔离区(12)来与FET(21)隔离的肖特基层(7)和沟道层(3)的一部分，FET(21)和半导体电阻元件(22)形成在同一衬底上，在元件隔离(12)内肖特基层(7)被去除。

公开(公告)号：CN1755932A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510106458.6

申请日：2005-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤由明 ,  按田义治 ,  田村彰良

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明的目的在于提供可以改善饱和电压特性的半导体电阻元件及其制造方法。本发明的半导体电阻元件和GaAs FET形成在同一基板上，所述的有源元件具有沟道层、在沟道层上形成的由不掺杂的InGaP构成的肖特基层、以及在肖特基层上形成的接触层，该半导体电阻元件具有活性区域以及在所述接触层上形成的2个欧姆电极，所述的活性区域具有由与GaAs FET分离的接触层的一部分构成的接触层、与GaAs FET分离的肖特基层以及沟道层的一部分，在所述2个欧姆电极之间露出有与GaAs FET分离的肖特基层。

公开(公告)号：CN1638143A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410089840.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/7784

Abstract: 本发明实现适合于功率放大器用途等的再现性佳的带双凹槽结构的场效应晶体管。通过采用蚀刻选择比高的AlGaAs层、InGaP层，可由AlGaAs层的膜厚唯一地确定第2段凹槽的深度，再现性良好地形成双凹槽构造，同时，通过以栅电极两旁表面作为AlGaAs层，可实现适于功率放大器用途等的高耐压装置。