公开(公告)号：CN1347177A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01136085.2

申请日：2001-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  高山彻 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/026

CPC classification number: H01S5/32308 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213

Abstract: 一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。

公开(公告)号：CN101939881A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104444.7

申请日：2009-10-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  川口真生 ,  春日井秀纪

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/164 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

Abstract: 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。

公开(公告)号：CN103314488A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180064244.0

申请日：2011-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 萩野裕幸 ,  左文字克哉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/024 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。

公开(公告)号：CN1262054C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN01136085.2

申请日：2001-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 左文字克哉 ,  高山彻 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/026 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/32308 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3213

Abstract: 一种半导体激光装置，分别在活性层104的下方设有由Alx1Ga1-x1As所构成的n型包层102，在活性层104的上方设有由(AlxGa1-x)yIn1-yP所构成的势垒高度规定用p型包层106。势垒高度规定用p型包层106比n型包层102含有更多的组成元素，势垒高度规定用p型包层106与活性层104之间的导带端的势差大于n型包层102与活性层104之间的导带端的势差。在抑制从活性层104向p型包层106的载流子溢出的同时，还通过在n型包层102上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。