公开(公告)号：CN107851969A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1-xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN107851969B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN103314488A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180064244.0

申请日：2011-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 萩野裕幸 ,  左文字克哉

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/024 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。

公开(公告)号：CN102365796A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080009947.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 萩野裕幸 ,  大野启 ,  山中一彦 ,  长尾宣明 ,  滨田贵裕

IPC: H01S5/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体发光元件，其具备：氮化物半导体层(101)，其具有第一覆层(111)，活性层(113)以及第二覆层(116)；以及电流阻挡层(121)，其对活性层(113)选择性地注入电流。第二覆层(116)具有条纹状的山脊部(116a)。电流阻挡层(121)在山脊部(116a)的两侧区域分别形成，且由具有结晶构造的氧化锌构成。