公开(公告)号：CN102934241A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201280001514.8

申请日：2012-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 相良晓彦 ,  平岩美央里 ,  柴田聪

IPC: H01L33/34 ,  C09K11/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/12

Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。

公开(公告)号：CN102934241B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280001514.8

申请日：2012-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 相良晓彦 ,  平岩美央里 ,  柴田聪

IPC: H01L33/34 ,  C09K11/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/12

Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。