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公开(公告)号：CN100468654C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510004769.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67115
Abstract: 本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序。光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。
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公开(公告)号：CN102934241A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201280001514.8
申请日：2012-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/12
Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。
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公开(公告)号：CN1774795A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200580000302.8
申请日：2005-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 柴田聪
IPC: H01L21/265 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/324
Abstract: 从硅衬底(100)的表面到第1深度(A)为止的区域上形成非结晶层(101)。这时，非结晶·结晶界面(102)附近空穴(103)发生。接下来，通过热处理使非结晶层(101)的结晶结构从第1深度(A)到比第1深度浅的第2深度(B)为止的区域恢复。由此，从硅衬底(100)的表面到第2深度(B)为止的区域成为非结晶层(101)。这时，空穴(103)留在第1深度(A)。此后，通过离子注入在比第2深度(B)浅的第3深度(C)形成PN结(104)。
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公开(公告)号：CN100401476C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200580000302.8
申请日：2005-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 柴田聪
IPC: H01L21/265 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26586 , H01L21/324
Abstract: 从硅衬底(100)的表面到第1深度(A)为止的区域上形成非结晶层(101)。这时，非结晶·结晶界面(102)附近空穴(103)发生。接下来，通过热处理使非结晶层(101)的结晶结构从第1深度(A)到比第1深度浅的第2深度(B)为止的区域恢复。由此，从硅衬底(100)的表面到第2深度(B)为止的区域成为非结晶层(101)。这时，空穴(103)留在第1深度(A)。此后，通过离子注入在比第2深度(B)浅的第3深度(C)形成PN结(104)。
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公开(公告)号：CN1554015A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN02802042.1
申请日：2002-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01J5/0003
Abstract: 本发明的目的，在于：精确地测量出加热中的物体温度，并在正确的温度下对物体进行热处理。在衬底10的热处理工序中，在测量衬底10背面的辐射率ε时，衬底10表面上形成有由能使辐射率ε改变的材料制成的膜，例如成为插塞15A的第一DPS膜15、成为电容下部电极17A的第二DPS膜17及成为电容上部电极20A的第三DPS膜20；而在衬底10的背面上则未形成由DPS膜等能使辐射率ε改变的材料制成的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934241B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201280001514.8
申请日：2012-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01B33/12
Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。
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公开(公告)号：CN1822321B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200610007750.7
申请日：2006-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L27/10894 , H01L29/665 , Y10S438/914
Abstract: 本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。
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公开(公告)号：CN101192555A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196089.3
申请日：2007-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/266 , G03F7/42
CPC classification number: G01N23/227 , H01L22/14 , H01L22/24 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明的树脂膜评价方法和应用该树脂膜评价方法制造半导体装置的方法中，首先，用荷能带电粒子照射在绝缘膜上形成有树脂膜的基板，该树脂膜带有开口，在开口中，绝缘膜的表面被露出。然后，测量用荷能带电粒子照射的基板表面的表面电位。根据测量值，获得树脂膜和开口中露出的绝缘膜之间的表面电位差。根据表面电位差，预测在进行规定的处理后获得的物理量如树脂膜残渣计数。以这种方式，由于荷能带电粒子如注入离子而在树脂膜表面上形成的变质层可以以简单和高度准确的方式进行评价。
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公开(公告)号：CN1822321A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007750.7
申请日：2006-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L27/10894 , H01L29/665 , Y10S438/914
Abstract: 本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。
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公开(公告)号：CN1645575A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004769.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67115
Abstract: 本发明使光照射开始后的温度上升工序(开路控制工序)中的光照射强度具有分布，通过减轻被加热体的温度偏差可降低被加热体所受应力。本发明是一种光照射热处理方法，在容器内支持被加热体，通过上述被加热体的一个表面相对设置的平面状的光照射加热部件来热处理被加热体，其包括：从光照射加热部件向被加热体照射平面上具有强度分布的光，使被加热体的温度上升的工序。光照射开始后的开路控制工序中，通过对多个区域逐一设定光照射强度，可降低被加热体的温度偏差。从而，可以减轻应力，无变形、歪斜、弯曲、龟裂等并抑制埋入被加热体的半导体装置的特性变动，降低可靠性不良。
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