公开(公告)号：CN1523653A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005879.5

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田贤治 ,  山口峰生

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于提供能够检测因静电引起的充电损伤的充电损伤评价用半导体器件及其评价方法。该充电损伤评价用半导体器件具备：硅衬底9；在该硅衬底9上形成的第一绝缘膜10；在该第一绝缘膜10上形成、与硅衬底9连接的第一导电层6；在该第一导电层6上形成的第二绝缘膜11；在该第二绝缘膜11上形成、成为天线的第2导电层8；以及在该第二导电层8上形成的第三绝缘膜12。

公开(公告)号：CN1299343C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410005879.5

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田贤治 ,  山口峰生

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于提供能够检测因静电引起的充电损伤的充电损伤评价用半导体器件及其评价方法。该充电损伤评价用半导体器件具备：硅衬底9；在该硅衬底9上形成的第一绝缘膜10；在该第一绝缘膜10上形成、与硅衬底9连接的第一导电层6；在该第一导电层6上形成的第二绝缘膜11；在该第二绝缘膜11上形成、成为天线的第2导电层8；以及在该第二导电层8上形成的第三绝缘膜12。