公开(公告)号：CN1964052B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200610101552.7

申请日：2006-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥爪贵彦 ,  高桥信义 ,  吉田幸司 ,  高桥桂太 ,  栗原清志 ,  守山善也

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。

公开(公告)号：CN1964052A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610101552.7

申请日：2006-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥爪贵彦 ,  高桥信义 ,  吉田幸司 ,  高桥桂太 ,  栗原清志 ,  守山善也

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。