公开(公告)号：CN1964052A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610101552.7

申请日：2006-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥爪贵彦 ,  高桥信义 ,  吉田幸司 ,  高桥桂太 ,  栗原清志 ,  守山善也

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。

公开(公告)号：CN1983602A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166963.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 守山善也 ,  原田裕二 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体存储装置，具有：形成于P型阱(1)，且以行列状配置有多个存储单元的存储单元阵列区域(A)；将多个存储单元中排列于同一行的存储单元彼此公共连接的多根字线(13)；和在P型阱(1)与存储单元阵列区域(A)分离形成的保护二极管区域(B)。在保护二极管区域(B)中构成有保护二极管元件，该保护二极管元件由在P型阱(1)的上部形成的N型扩散层(9)和P型阱(1)接合构成，各字线(13)通过延伸至保护二极管区域(B)与N型扩散层(9)直接连接，而与保护二极管元件电连接。因此，在堆积了字线形成用的导电层之后的工序中，也可以保护存储单元不受因字线的带电而引起的高电压的施加的影响。

公开(公告)号：CN1983602B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200610166963.4

申请日：2006-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 守山善也 ,  原田裕二 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体存储装置，具有：形成于P型阱(1)，且以行列状配置有多个存储单元的存储单元阵列区域(A)；将多个存储单元中排列于同一行的存储单元彼此公共连接的多根字线(13)；和在P型阱(1)与存储单元阵列区域(A)分离形成的保护二级管区域(B)。在保护二级管区域(B)中构成有保护二级管元件，该保护二级管元件由在P型阱(1)的上部形成的N型扩散层(9)和P型阱(1)接合构成，各字线(13)通过延伸至保护二级管区域(B)与N型扩散层(9)直接连接，而与保护二级管元件电连接。因此，在堆积了字线形成用的导电层之后的工序中，也可以保护存储单元不受因字线的带电而引起的高电压的施加的影响。

公开(公告)号：CN100483717C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510066881.8

申请日：2005-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷离散地积累在叠层绝缘膜内的非易失半导体存储装置，即使被紫外线照射，也能够在不使成本增加的情况下，进行阈值电压的控制。非易失半导体存储装置，具有：在衬底1上形成的由离散地积累电荷的叠层绝缘膜2B构成的栅极绝缘膜、栅极电极3A及在衬底1的表面层中形成的夹着栅极电极3A的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散区域4。在栅极绝缘膜中的区域，并且是在栅极电极3A中的与一对扩散区域4对着的端部、和一对扩散区域4之间存在的区域中的至少一个区域中，存在有将紫外线照射到栅极电极3A而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域；在一对扩散区域4中的存在于固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域4，被设置成在相对于衬底面垂直的方向上，与固定电荷积累区域重叠且超出该固定电荷积累区域的样子。

公开(公告)号：CN101378060A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810214939.2

申请日：2008-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥信义 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0251

Abstract: 半导体装置具备：形成于半导体基板(11)的被保护元件；形成于第2导电型阱(14)的第1保护晶体管；形成于第1导电型阱(13)的第2保护晶体管。第2保护晶体管的第4源极漏极扩散层(52B)与第2扩散层(57)相接，第3源极漏极扩散层(52A)在第2导电型阱(14)与第1保护晶体管的第2源极漏极扩散层(51B)相接。第1保护晶体管的第1源极漏极扩散层(51A)与和被保护元件电极(32)相接的第1扩散层(56)相接。从而，可实现一种在无论正负的低电压范围内，都保护存储器元件不受FEOL处理的扩散工序中的充电影响，且在制造工序结束之后，可对存储器元件施加存储器元件驱动所需的正负两极性的高电压的半导体装置。

公开(公告)号：CN1707798A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510072750.0

申请日：2005-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥桂太

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0491 ,  G11C16/10 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷捕获层利用在存储元件中的非易失半导体存储装置，防止在制造工序中产生的紫外线所造成的影响。非易失半导体存储装置，包括：非易失半导体存储元件，其由在衬底上形成的含有电荷捕获层的栅极绝缘膜(112)、形成在栅极绝缘膜(112)上的栅极电极(100)、以及夹着栅极电极(100)形成在衬底表面层的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散层(102)构成；和第1导体(104)，其将一对扩散层(102)电连接。栅极电极(100)中的与一对扩散层(102)对着的端部，从平面上来看，被第1导体(104)部分地覆盖。

公开(公告)号：CN1964052B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200610101552.7

申请日：2006-07-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥爪贵彦 ,  高桥信义 ,  吉田幸司 ,  高桥桂太 ,  栗原清志 ,  守山善也

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。

公开(公告)号：CN101393913A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810212653.0

申请日：2008-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 樋口裕一郎 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/62 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现在FEOL电平的正负低电压的范围从扩散工序中的充电增强保护被保护元件，且，扩散工序结束后在被保护元件上能够施加驱动被保护元件所必须的正负两极性高电压的半导体装置。半导体装置，包括：具有被保护元件电极(22)的被保护元件(21)、具有与半导体衬底(11)电连接的衬底连接电极(42)的衬底连接部(41)、具有形成在被保护元件电极(22)和衬底连接电极(42)之间的保险膜(32)的保险构造(31)。保险膜(32)，形成为能够被切断，在没有切断保险膜(32)的状态下，被保护元件电极(22)、衬底连接电极(42)、及保险元件电极(32)由一体形成的导电膜(15)形成。

公开(公告)号：CN1738028A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510091436.7

申请日：2005-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田幸司 ,  高桥桂太 ,  野吕文彦 ,  荒井雅利 ,  高桥信义

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明的半导体制造方法，在p型的半导体基板(11)上，形成积蓄电荷的ONO膜(12a)。在ONO膜(12)上形成开口部(12d)，从形成的开口部(12d)向半导体基板(11)注入砷离子，从而在半导体基板(11)的各开口部(12d)的下侧部位形成n型扩散层(14)。形成覆盖ONO膜(12)的开口部(12d)的端部的保护氧化膜(15)，在含氧的气体介质中，隔着保护氧化膜(15)对半导体基板(11)进行热处理，将各n型扩散层(14)的上部氧化，从而在各n型扩散层(14)的上部形成比特线氧化膜(16)。在ONO膜(12)上形成导电体膜，从而形成字线(17)。可防止具有陷阱膜的存储单元的数据保持特性的劣化。

公开(公告)号：CN1725494A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510066881.8

申请日：2005-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷离散地积累在叠层绝缘膜内的非易失半导体存储装置，即使被紫外线照射，也能够在不使成本增加的情况下，进行阈值电压的控制。非易失半导体存储装置，具有：在衬底1上形成的由离散地积累电荷的叠层绝缘膜2B构成的栅极绝缘膜、栅极电极3A及在衬底1的表面层中形成的夹着栅极电极3A的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散区域4。在栅极绝缘膜中的区域，并且是在栅极电极3A中的与一对扩散区域4对着的端部、和一对扩散区域4之间存在的区域中的至少一个区域中，存在有将紫外线照射到栅极电极3A而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域；在一对扩散区域4中的存在于固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域4，被设置成在相对于衬底面垂直的方向上，与固定电荷积累区域重叠且超出该固定电荷积累区域的样子。