公开(公告)号：CN103219382B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201310093194.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  桥本浩一 ,  风间俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/145

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。

公开(公告)号：CN1914786B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200580003618.2

申请日：2005-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  桥本浩一

IPC: H02M1/08 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H02M7/538 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0727 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H02M7/003 ,  H03K17/063 ,  H03K17/6871 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的半导体装置(29)包括：两个电平移动开关(28A、28B)，具有第一电极、第二电极、控制电极和信号输出电极，同时具有第一半导体区域，该第一半导体区域构成为：介于所述第一电极与所述信号输出电极之间、根据向所述控制电极的输入信号导通或者非导通的晶体管元件部(28a、28b)；介于所述信号输出电极与所述第二电极之间的电阻元件部(Ra、Rb)，所述第一半导体区域由宽禁带半导体构成；和二极管(23)，具有阴极侧电极、阳极侧电极和第二半导体区域，所述第二半导体区域由宽禁带半导体构成。

公开(公告)号：CN101449384B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780018122.1

申请日：2007-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  桥本浩一 ,  林将志

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(155)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域(15s)的部分的长度平缓变化的形状。

公开(公告)号：CN101584029B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780049952.0

申请日：2007-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本浩一 ,  桥本伸 ,  江头恭子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66719 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/943 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/951

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层(2)的半导体基板；工序b，覆盖半导体层(2)的规定的区域地形成第1掩模(30)；工序c，向形成有第1掩模(30)的半导体层(2)注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域(6)；工序d，除去第1掩模(30)的一部分，使第1掩模(30)的厚度(t1)减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖阱区域(6)的一部分的第2掩模(34)；工序f，向形成有厚度减少的第1掩模(30’)及第2掩模(34)的半导体层(6)注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域(8)。

公开(公告)号：CN101584029A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049952.0

申请日：2007-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本浩一 ,  桥本伸 ,  江头恭子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66719 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/943 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/951

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层(2)的半导体基板；工序b，覆盖半导体层(2)的规定的区域地形成第1掩模(30)；工序c，向形成有第1掩模(30)的半导体层(2)注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域(6)；工序d，除去第1掩模(30)的一部分，使第1掩模(30)的厚度(t1)减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖阱区域(6)的一部分的第2掩模(34)；工序f，向形成有厚度减少的第1掩模(30’)及第2掩模(34)的半导体层(6)注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域(8)。

公开(公告)号：CN101449384A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018122.1

申请日：2007-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  桥本浩一 ,  林将志

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 在具有半导体层(10)、在半导体层的表面(10s)形成的第一导电型半导体区域(15s)、在半导体层的表面(10s)在第一导电型半导体区域(15s)的周围形成的第二导电型半导体区域(14s)、以及具有和第一导电型半导体区域(15s)和第二导电型半导体区域(14s)接触的导电面(19s)的导电体(19)的半导体元件中，半导体层(10)包含碳化硅；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)中至少一个不是圆；第1导电型半导体区域(15s)和导电面(19s)分别具有随着将导电面(19s)和第1导电型半导体区域(15s)之间的位置匹配的偏移量从零增加到导电面(19s)的宽度的1/3，导电面(19s)的轮廓中横切第1导电型半导体区域(15s)的部分的长度平缓变化的形状。

公开(公告)号：CN102255441B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201110114176.6

申请日：2011-04-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椿本浩幸 ,  桥本浩一 ,  白谷真英 ,  田中尚武

IPC: H02K15/00 ,  H02K11/00

CPC classification number: H02K11/25 ,  H02K13/006

Abstract: 本发明涉及一种换向器电动机中温度传感器的安装结构，包括保持板；金属制的固定座；以及设置于固定座上从而将电刷保持就位的电刷保持器。金属制的固定座位于保持板上，并且固定座包括温度传感器连接于其的传感器连接部。此外，传感器连接部位于保持板外侧。

公开(公告)号：CN102217070A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201080003201.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  桥本浩一 ,  安达和广

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体元件区域(17)和保护环区域(18)，其中半导体元件区域(17)配置于碳化硅层(3)的一部分，保护环区域(18)配置于从与碳化硅层(3)的主面相垂直的方向看、在碳化硅层(3)中包围半导体元件区域(17)的区域，该半导体装置包含：在碳化硅层(3)的半导体元件区域(17)及保护环区域(18)的主面上形成的相对介电常数为20以上的层间绝缘膜10；保护环区域(18)中的层间绝缘膜(10)上形成的第1保护绝缘层(14)；第1保护绝缘层(14)上形成的第2保护绝缘层(15)，第1保护绝缘层(14)的线膨胀系数是在构成第2保护绝缘层(15)的材料的线膨胀系数和构成层间绝缘膜(10)的材料的线膨胀系数之间。

公开(公告)号：CN102084483A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980100324.X

申请日：2009-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。

公开(公告)号：CN102217070B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201080003201.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  桥本浩一 ,  安达和广

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体元件区域(17)和保护环区域(18)，其中半导体元件区域(17)配置于碳化硅层(3)的一部分，保护环区域(18)配置于从与碳化硅层(3)的主面相垂直的方向看、在碳化硅层(3)中包围半导体元件区域(17)的区域，该半导体装置包含：在碳化硅层(3)的半导体元件区域(17)及保护环区域(18)的主面上形成的相对介电常数为20以上的层间绝缘膜10；保护环区域(18)中的层间绝缘膜(10)上形成的第1保护绝缘层(14)；第1保护绝缘层(14)上形成的第2保护绝缘层(15)，第1保护绝缘层(14)的线膨胀系数是在构成第2保护绝缘层(15)的材料的线膨胀系数和构成层间绝缘膜(10)的材料的线膨胀系数之间。