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公开(公告)号：CN1542968A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031536.6
申请日：2004-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76838 , H01L21/76895 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够用较少的工序形成MIM型电容元件，同时提供一种具有电阻值的偏差或者寄生电阻较少的电阻体。半导体器件，包括：在形成在衬底上的绝缘膜2上按从下往上的顺序叠层起来的阻挡金属膜6及由AlCu膜8及TiN膜9形成的布线10b、10c，以及包括由阻挡金属膜6形成的电容器下方电极、由形成在电容器下方电极上的SiO2膜7形成的电容器绝缘膜、由形成在SiO2膜7上的AlCu膜8及TiN膜9形成的电容器上方电极的电容元件10a。
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公开(公告)号：CN1165073C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN00807405.4
申请日：2000-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/44 , H01L21/445 , H01L29/40 , H01L29/43 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/28518 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , Y10S148/019 , Y10S148/046
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后，在半导体层上沉积金属膜。然后，对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应，以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。
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公开(公告)号：CN1498424A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03800148.9
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101584029B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200780049952.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L21/266 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66719 , Y10S438/942 , Y10S438/943 , Y10S438/945 , Y10S438/951
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层(2)的半导体基板；工序b，覆盖半导体层(2)的规定的区域地形成第1掩模(30)；工序c，向形成有第1掩模(30)的半导体层(2)注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域(6)；工序d，除去第1掩模(30)的一部分，使第1掩模(30)的厚度(t1)减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖阱区域(6)的一部分的第2掩模(34)；工序f，向形成有厚度减少的第1掩模(30’)及第2掩模(34)的半导体层(6)注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域(8)。
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公开(公告)号：CN101584029A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780049952.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L21/266 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0869 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66719 , Y10S438/942 , Y10S438/943 , Y10S438/945 , Y10S438/951
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含：工序a，准备在表面形成有第1导电型的半导体层(2)的半导体基板；工序b，覆盖半导体层(2)的规定的区域地形成第1掩模(30)；工序c，向形成有第1掩模(30)的半导体层(2)注入第2导电型的杂质离子，从而形成第2导电型的阱区域(6)；工序d，除去第1掩模(30)的一部分，使第1掩模(30)的厚度(t1)减少；工序e，使用光刻蚀法，形成覆盖阱区域(6)的一部分的第2掩模(34)；工序f，向形成有厚度减少的第1掩模(30’)及第2掩模(34)的半导体层(6)注入第1导电型的杂质离子，从而形成第1导电型的源极区域(8)。
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公开(公告)号：CN1300850C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410031536.6
申请日：2004-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76838 , H01L21/76895 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够用较少的工序形成MIM型电容元件，同时提供一种具有电阻值的偏差或者寄生电阻较少的电阻体。半导体器件，包括：在形成在衬底上的绝缘膜(2)上按从下往上的顺序叠层起来的阻挡金属膜(6)及由AlCu膜(8)及TiN膜(9)形成的布线(10b、10c)，以及包括由阻挡金属膜(6)形成的电容器下方电极、由形成在电容器下方电极上的SiO2膜(7)形成的电容器绝缘膜、由形成在SiO2膜(7)上的AlCu膜(8)及TiN膜(9)形成的电容器上方电极的电容元件(10a)。
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公开(公告)号：CN1263143C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03800148.9
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。
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公开(公告)号：CN1360734A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN00807405.4
申请日：2000-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/44 , H01L21/445 , H01L29/40 , H01L29/43 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/28518 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , Y10S148/019 , Y10S148/046
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,在半导体层表面附近的区域分布非金属元素后,在半导体层上沉积金属膜。然后,对金属膜实施热处理使构成半导体层的元素和构成金属膜的金属反应,以在半导体层的表面外延生长半导体金属层间化合物层。
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