公开(公告)号：CN101194238B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020511.3

申请日：2006-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上学 ,  中西雅浩 ,  泉智绍 ,  森博范 ,  真木晋弘 ,  本多利行

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/02 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F12/0246

Abstract: 本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时，构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时，从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据，写入新物理块内，直至物理单元的写入完成为止。由此，当下一次要写入数据时，可从新的物理单元的起始开始写入，所以可防止出错。

公开(公告)号：CN101194238A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020511.3

申请日：2006-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上学 ,  中西雅浩 ,  泉智绍 ,  森博范 ,  真木晋弘 ,  本多利行

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/02 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F12/0246

Abstract: 本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时，构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时，从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据，写入新物理块内，直至物理单元的写入完成为止。由此，当下一次要写入数据时，可从新的物理单元的起始开始写入，所以可防止出错。