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公开(公告)号：CN100576360C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580014359.3
申请日：2005-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22 , G06F11/1068 , G11C16/3418 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及半导体存储器装置，当读出传送源的数据时产生错误时，不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器(2)的半导体存储器装置(1)中，在非易失性存储器(2)的内部设置错误检测及校正电路(23)。将存储在非易失性存储器(2)内的预定物理块的数据传送并写入到不同的物理块中时，错误检测及校正电路(23)进行数据的错误检测与校正。
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公开(公告)号：CN100517268C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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公开(公告)号：CN100407178C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200580015993.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068
Abstract: 本发明可保存产生写入错误的地址，在一系列的写入完成之后，读出所保存的地址数据。而且，通过仅对于无法进行数据纠正的地址、及判断为需要进行写入重试的地址进行不良区块处理，可防止不良区块的增加。从而，向指定的快闪存储器进行写入时，可防止频繁出现写入错误、以及大量产生不良区块。
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公开(公告)号：CN101176074A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200680016090.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 一种非易失性存储装置(101)包括多个物理块，每个物理块设置有非易失性存储器(103)，逻辑/物理地址转换表，临时块，和临时表。非易失性存储器(103)包括多个分别作为预定写入单元的页。逻辑－物理地址转换表(106)存储物理块中存储的数据的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。临时块是存储数据的物理块，所述数据的尺寸比页的尺寸小。临时表(107)存储与临时块中存储的数据有关的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。
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公开(公告)号：CN1947100A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1761935A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480006833.3
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0611 , G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , Y02D10/154
Abstract: 在半导体存储卡内设置主信息存储器，保持从访问装置提供的数据写入开始地址和数据尺寸。空物理区生成单元在根据数据写入开始地址和数据尺寸写入数据时，决定是否清除非易失性存储器的无效块以及所清除的块数。在清除的情况下，对于不同的存储器芯片同时执行数据写入和无效块的清除。由此，优化数据的清除处理，能够实现从访问装置对于半导体存储卡的高速访问。
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公开(公告)号：CN104145239A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380010374.5
申请日：2013-02-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 井上学
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 在静电电容耦合方式的输入装置中，提供一种制造容易的输入装置。输入装置配置在显示装置的观察者侧，并且具备隔着电介质元件以正交的方式对置的一对坐标检测电极(18、19)，上述显示装置在配置在显示面板的上述观察者侧的前面基板(12)上具有透光性基板(16)，上述坐标检测电极中的一方的电极(18)形成在上述透光性基板16的上述显示面板侧的表面，上述坐标检测电极中的另一方的电极(19)形成在上述显示面板的上述前面基板(12)上，上述透光性基板(16)隔着成为上述电介质元件的粘接层(17)而粘贴在上述显示面板(2)的上述前面基板(12)。
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公开(公告)号：CN101176074B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200680016090.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 一种非易失性存储装置(101)包括多个物理块，每个物理块设置有非易失性存储器(103)，逻辑/物理地址转换表，临时块，和临时表。非易失性存储器(103)包括多个分别作为预定写入单元的页。逻辑-物理地址转换表(106)存储物理块中存储的数据的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。临时块是存储数据的物理块，所述数据的尺寸比页的尺寸小。临时表(107)存储与临时块中存储的数据有关的逻辑地址与物理地址之间的对应关系信息。
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公开(公告)号：CN101194238B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680020511.3
申请日：2006-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 本发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时，构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时，从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据，写入新物理块内，直至物理单元的写入完成为止。由此，当下一次要写入数据时，可从新的物理单元的起始开始写入，所以可防止出错。
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公开(公告)号：CN100590608C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200680017750.3
申请日：2006-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器，其能够避免在正常动作时由于地址管理表的写回处理所引起的存取速度下降，并且能够缩短在存储器卡初始化时地址管理表的生成时间。存储器控制器(114)具有，暂时存储地址管理表(112)的读写存储器(113)；存储器控制部(122)，在数据的写入目标的物理块从某地址范围切换到其它地址范围时，其向非易失性存储器(115)写入读写存储器中暂时存储的地址管理表和用于将切换后的地址范围特定下来的地址范围确定信息；以及地址管理表生成部(107)，在初始化时基于地址范围确定信息，读取在特定的地址范围内中包含的、用于管理物理块的状态的分布管理信息，并基于读取的分布管理信息生成地址管理表(112)。
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