公开(公告)号：CN103782281A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201380002861.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川兼人 ,  幸裕弘 ,  原田俊治 ,  森胁将

IPC: G06F13/00 ,  G06F17/30

CPC classification number: H04L67/22 ,  G06F16/435 ,  G06Q50/01 ,  G11B27/105 ,  G11B27/11 ,  G11B27/322 ,  G11B27/34 ,  H04N21/4335 ,  H04N21/44222 ,  H04N21/4756 ,  H04N21/4788 ,  H04N21/6582

Abstract: 内容控制装置包括：储存从通过网络与终端设备连接的终端设备接收到的内容的接收内容储存部；管理作为针对所述接收内容储存部储存的第1内容的操作履历的操作履历信息的操作履历信息管理部；基于操作履历信息生成与第1内容相对应的用于控制储存在终端设备的第2内容的控制信息的内容控制部。

公开(公告)号：CN1310336C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底(100)上造成硅酸锆层(103)，同时在硅酸锆层(103)上造成锆氧化物层(102)，然后除去该锆氧化物层(102)，从而造成由硅酸锆层(103)所构成的栅极绝缘膜(104)。

公开(公告)号：CN1460297A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104。