公开(公告)号：CN1460297A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底100上造成硅酸锆层103，同时在硅酸锆层103上造成锆氧化物层102，然后除去该锆氧化物层102，从而造成由硅酸锆层103所构成的栅极绝缘膜104。

公开(公告)号：CN1310336C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN02800849.9

申请日：2002-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森胁将 ,  丹羽正昭 ,  久保田正文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，包括：在硅衬底(100)上造成硅酸锆层(103)，同时在硅酸锆层(103)上造成锆氧化物层(102)，然后除去该锆氧化物层(102)，从而造成由硅酸锆层(103)所构成的栅极绝缘膜(104)。

公开(公告)号：CN1505114A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310113827.5

申请日：2003-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 久保田正文 ,  林重德

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/324 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。其目的是将由金属氧化物构成的高电介质膜应用于栅绝缘膜或者电容绝缘膜中。在半导体衬底(11)的元件形成区域上，形成由氧化硅构成的底层绝缘膜(13)、由氧化铪构成的栅绝缘膜(14)、由多晶硅构成的栅电极(15)及由氧化硅构成的侧壁(18)，在半导体衬底(11)中的元件形成区域的上部上分别由注入形成源－漏区(17)及扩展区(16)。然后，调整半导体衬底(11)的扫描速度、激光的脉冲间隔及峰值功率，进行0.1秒钟的激光照射，使得仅在半导体衬底(11)的表面附近的温度为1150℃～1250℃那样，进行对栅绝缘膜(14)的热处理及对源－漏区(17)的热处理。