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公开(公告)号：CN100459150C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1692483A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1－xNyA1－y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN100456491C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480000426.1
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/0817 , H01L29/127 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III-V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
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公开(公告)号：CN1706047A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1650436A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100350577C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1228883C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02150226.9
申请日：1995-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H01P1/20381 , H01P1/203 , H01P7/082 , H01P7/086 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
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公开(公告)号：CN1653691A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810921.2
申请日：2003-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 水野纮一
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/693 , H01P1/15
Abstract: 本发明的开关装置(10)具有三个连接用端子(P1、P2、P3)和两个相同沟道型FET(111、121)，两个FET的一对主端子的一个分别经直流阻止用电容性元件(Cb)连接到第一连接用端子，另一个连接到第二和第三连接用端子，将第一偏压电压(Vb1)提供给第一FET的栅极，将第二偏压电压(Vb2)提供给第二FET的一对主端子，通过两值的控制电压(Vc)提供给第一FET的一对主端子和第二FET的栅极，从而电切换连接第一连接用端子和第二或第三连接用端子。
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公开(公告)号：CN1507104A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02150227.7
申请日：1995-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20381 , H01P1/203 , H01P7/082 , H01P7/086 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
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公开(公告)号：CN1113424C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN95193655.7
申请日：1995-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20381 , H01P1/203 , H01P7/082 , H01P7/086 , Y10S505/70 , Y10S505/701 , Y10S505/866
Abstract: 一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
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