公开(公告)号：CN102934241B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280001514.8

申请日：2012-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 相良晓彦 ,  平岩美央里 ,  柴田聪

IPC: H01L33/34 ,  C09K11/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/12

Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。

公开(公告)号：CN112424974A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202080002774.1

申请日：2020-01-22

Applicant: IMEC非营利协会 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 陈旭宾 ,  K·比雅恩·甘德鲁德 ,  M·米斯 ,  P·M·威利肯 ,  相良晓彦 ,  矢部裕城 ,  荒濑秀和

IPC: H01M4/13 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0565 ,  H01B1/06

Abstract: 本公开的固体电解质(10)具备多孔质电介质(11)和电解质(13)，所述多孔质电介质(11)具有相互连接的多个孔(12)，所述电解质(13)含有金属盐和选自离子性化合物及双极性化合物中的至少一种化合物，且所述电解质(13)部分地填充所述多个孔(12)的内部。多孔质电介质(11)的多个孔(12)的内表面的至少一部分被含有卤素原子的官能团修饰。

公开(公告)号：CN102934241A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201280001514.8

申请日：2012-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 相良晓彦 ,  平岩美央里 ,  柴田聪

IPC: H01L33/34 ,  C09K11/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/12

Abstract: 本发明提供一种具有1.57μm的波长的红外发光元件的制造方法，其中，在含有C的Si基板上形成SiO2膜，在含氧的气氛中进行RTA处理，或者，在注入杂质离子后在含氧的气氛中实施RTA处理，由此形成C中心。