公开(公告)号：CN1273436A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00108644.8

申请日：2000-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古田守 ,  相马功儿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 作为薄膜晶体管的栅绝缘膜形成第一绝缘膜,在栅绝缘膜上形成栅极。然后,注入杂质以形成源和漏区。作为层间绝缘膜,形成折射率为n1且膜厚为d2的第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜和栅极。其后,加上波长为λ的激光以激活杂质。第一和第二绝缘膜的膜厚d1和d2满足相对于激光波长λ的情况,以在需要激活的区域处形成防反射膜。同时,设定膜厚d1和d2使栅极上的层间绝缘膜形成射膜。这减少了杂质激活期间激光对栅极的热破坏。

公开(公告)号：CN1144275C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00108644.8

申请日：2000-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古田守 ,  相马功儿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 作为薄膜晶体管的栅绝缘膜形成第一绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅极。然后，注入杂质以形成源和漏区。作为层间绝缘膜，形成折射率为n1且膜厚为d2的第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜和栅极。其后，加上波长为λ的激光以激活杂质。第一和第二绝缘膜的膜厚d1和d2满足相对于激光波长λ的情况，以在需要激活的区域处形成防反射膜。同时，设定膜厚d1和d2使栅极上的层间绝缘膜形成反射膜。这减少了杂质激活期间激光对栅极的热破坏。