公开(公告)号：CN1273436A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00108644.8

申请日：2000-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古田守 ,  相马功儿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 作为薄膜晶体管的栅绝缘膜形成第一绝缘膜,在栅绝缘膜上形成栅极。然后,注入杂质以形成源和漏区。作为层间绝缘膜,形成折射率为n1且膜厚为d2的第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜和栅极。其后,加上波长为λ的激光以激活杂质。第一和第二绝缘膜的膜厚d1和d2满足相对于激光波长λ的情况,以在需要激活的区域处形成防反射膜。同时,设定膜厚d1和d2使栅极上的层间绝缘膜形成射膜。这减少了杂质激活期间激光对栅极的热破坏。

公开(公告)号：CN1106328A

公开(公告)日：1995-08-09

申请号：CN94107555.9

申请日：1994-07-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 近藤昌树 ,  古田守

IPC: B23K26/00

Abstract: 一种激光照射装置，其特征是在会聚激光(51a)照射至工件(52)的光路上具有测定该激光(51a)的能量强度分布的测定构件(64)，以及若透过该测定构件(64)的上述激光(51a)符合预定能量分布，则令其透过，若不符合预定能量强度分布，则遮断光路的遮断构件。从而在用激光加工时能避免不符合预定能量强度分布的激光造成加工失败。

公开(公告)号：CN1144275C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN00108644.8

申请日：2000-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古田守 ,  相马功儿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 作为薄膜晶体管的栅绝缘膜形成第一绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅极。然后，注入杂质以形成源和漏区。作为层间绝缘膜，形成折射率为n1且膜厚为d2的第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜和栅极。其后，加上波长为λ的激光以激活杂质。第一和第二绝缘膜的膜厚d1和d2满足相对于激光波长λ的情况，以在需要激活的区域处形成防反射膜。同时，设定膜厚d1和d2使栅极上的层间绝缘膜形成反射膜。这减少了杂质激活期间激光对栅极的热破坏。

公开(公告)号：CN1050221C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。

公开(公告)号：CN1198596A

公开(公告)日：1998-11-11

申请号：CN98106381.0

申请日：1998-04-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古田守

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明揭示一种薄膜晶体管及其制造方法和使用它的液晶显示装置,包括借助于仅在活性层中使用的半导体薄膜中低浓度地注入杂质的区域(13b),在多个薄膜晶体管的栅极(15)之间加以连接,做到同时使元件的尺寸缩小和漏电流减小。本发明解决了将具有多个LDD结构的薄膜晶体管进行串联连接的薄膜晶体管,虽然减小漏电流的效果好但元件面积缩小困难的问题。

公开(公告)号：CN1131340A

公开(公告)日：1996-09-18

申请号：CN95119449.6

申请日：1995-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前川茂树 ,  古田守 ,  筒博司 ,  川村哲也 ,  宫田丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  C30B28/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  Y10S117/904 ,  Y10S148/09

Abstract: 一种用于形成多结晶半导体薄膜的方法，包括如下步骤：在一绝缘基板上形成部分含有微晶体的半导体薄膜，该微晶体用于多结晶化的晶核；通过激光退火，对该半导体薄膜进行多结晶化。