公开(公告)号：CN1132252C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96110466.X

申请日：1996-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石川克也 ,  黑田隆男 ,  松田祐二 ,  庭山雅彦 ,  立川景士

IPC: H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14825

Abstract: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化，也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCD n+层4后，在包括垂直CCD n+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5，在垂直CCD n+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCD n+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCD n+层4的电荷读出的读出控制部5b。