公开(公告)号：CN1132252C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96110466.X

申请日：1996-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石川克也 ,  黑田隆男 ,  松田祐二 ,  庭山雅彦 ,  立川景士

IPC: H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14825

Abstract: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化，也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCD n+层4后，在包括垂直CCD n+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5，在垂直CCD n+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCD n+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCD n+层4的电荷读出的读出控制部5b。

公开(公告)号：CN1697194A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510068774.9

申请日：2005-05-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立川景士

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14656

Abstract: 在半导体衬底(1)上设置用于垂直传输信号电荷的垂直传输电荷耦合装置、用于接收和水平传输所传输的信号电荷的水平传输电荷耦合装置(6)、多余电子扫除器(12)以及水平传输电荷耦合装置(6)和多余电子扫除器(12)之间的势垒。该势垒包括第一n型扩散层(10)、与其一端接触的第二n型扩散层(9)以及与其另一端接触的第三n型扩散层(11)。第二n型扩散层(9)和第三n型扩散层(11)的杂质浓度比第一n型扩散层(10)的杂质浓度更高。结果，使固态成像装置的多余电子扫除器扫除多余电子的能力提高，而不降低水平传输电荷耦合装置处理的电荷量，即使使用大光量信号也可以输出图像。