公开(公告)号：CN1465078A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802420.6

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三木勝政 ,  御堂勇治 ,  藤井逹雄 ,  中野慎 ,  木村涼

IPC: H01G9/00 ,  H01G9/04 ,  H01G9/012

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/012 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后，形成第一通孔24，然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后，除去抗蚀剂膜23，将铝箔20粗化之后形成电介质层27，在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36，在该第二通孔内形成通孔电极28之后，在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29，再形成集电体层30，然后在形成开口部分37之后，在该部分形成第一连接端31，在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。