固体电解电容器的制造方法

    公开(公告)号:CN100339918C

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN02802420.6

    申请日:2002-07-16

    CPC classification number: H01G9/15 H01G9/012 Y10T29/417

    Abstract: 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后,形成第一通孔24,然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后,除去抗蚀剂膜23,将铝箔20粗化之后形成电介质层27,在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36,在该第二通孔内形成通孔电极28之后,在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29,再形成集电体层30,然后在形成开口部分37之后,在该部分形成第一连接端31,在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。

    固体电解电容器的制造方法

    公开(公告)号:CN1465078A

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN02802420.6

    申请日:2002-07-16

    CPC classification number: H01G9/15 H01G9/012 Y10T29/417

    Abstract: 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后,形成第一通孔24,然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后,除去抗蚀剂膜23,将铝箔20粗化之后形成电介质层27,在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36,在该第二通孔内形成通孔电极28之后,在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29,再形成集电体层30,然后在形成开口部分37之后,在该部分形成第一连接端31,在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。

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