半导体非易失性存储器装置

    公开(公告)号:CN1601654A

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN200410080109.7

    申请日:2004-09-23

    Abstract: 在一种非易失性存储器装置中,其中包括例如数据“1”是带电电荷、数据“0”是非带电电荷并易受电荷损失的存储单元,当阵列(10)中的数据为“1”计数值大于“0”计数值时,转换写数据,由此使“1”转换为“0”并且使“0”转换为“1”,导致“1”的数量小于“0”的数量,这样改善了阵列(10)中数据的统计可靠性。当读出数据时,将已经转换和写入的数据转换成在进行转换之前的极性。

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