公开(公告)号：CN101079608A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104231.7

申请日：2007-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田典之

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种压电振荡器及其制造方法。该压电振荡器包括：包括电路的半导体芯片，设置在半导体芯片的主表面上的压电振子，以及设置在半导体芯片的主表面上的外部电极。本发明不需要在陶瓷基板的凹部中容纳半导体芯片。因此，由于不需要考虑定位裕量等，压电振荡器的平面尺寸基本取决于半导体芯片尺寸。另外，由于不配备陶瓷基板，压电振荡器可制作得充分薄，并且由于不需要昂贵的陶瓷基板，所以可以低价格地制造压电振荡器。

公开(公告)号：CN101536307A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040735.5

申请日：2007-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田典之 ,  政井茂雄 ,  佐藤政晴

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/45475 ,  H03F2203/45136 ,  H03F2203/45576

Abstract: 提供了一种放大设备，其中，输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，并且提高了ESD电阻。ECM连接到输入端(21)。通过CMOS放大器(20)的高输入阻抗，使得频率特性直到语音频带都变得平坦，并且输入阻抗被设置为几GΩ至几十GΩ，以便通过增大在对ECM供电之后和在大的声音检测之后的响应速度来实现期望的电特性。通过连接P沟道MOS晶体管(27)和N沟道MOS晶体管(28)作为ESD保护元件，可以构成用于将在组装期间在IC外部产生并且来自输入端(21)的浪涌电压释放到电源端子或接地端子而不影响来自输入端(21)的声音频带的信号(20Hz至20kHz)的路径。

公开(公告)号：CN1610246A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085075.0

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦润一 ,  上西荣一 ,  藤田典之

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/32 ,  H03B2201/0266 ,  H03J2200/10

Abstract: 提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜...＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。

公开(公告)号：CN100417013C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410085075.0

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦润一 ,  上西荣一 ,  藤田典之

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/32 ,  H03B2201/0266 ,  H03J2200/10

Abstract: 本发明提供一种电压控制可变电容器，其可以在宽控制电压范围内改变其电容值，并容易地以高精度控制该电容值而不使其电路结构复杂化，以及，提供一种电压控制可变电容器，其可以以良好的线性改变其电容值。电压控制可变电抗器以这样的方式配置：可变电抗器VCk并联，其每一个由固定电容器Ck(k＝1，2，...，n)和N沟道型MOS晶体管Mk的串联形成。MOS晶体管M1至Mn以这样的方式配置：栅极宽度W相同，但是顺次延长栅极长度L1至Ln(即，L1＜L2＜…＜Ln)，使得其阈值电压彼此区分开。