公开(公告)号：CN102473679A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030744.8

申请日：2010-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田智弘 ,  平濑顺司 ,  佐藤好弘

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法包括：在形成于基板(10)的第1活性区域(10a)上形成包含高电介质的第1栅极绝缘膜(17a)、和包含金属材料的第1栅电极(18a)，且在形成于基板(10)的第2活性区域(10b)上形成包含高电介质的第2栅极绝缘膜(17b)、和包含金属材料的第2栅电极(18b)的工序；向第1栅极绝缘膜(17a)的端部和第2栅极绝缘膜(17b)的端部导入负的固定电荷的工序；和除去第1栅极绝缘膜(17a)的端部的工序。