公开(公告)号：CN104160520A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280049611.4

申请日：2012-09-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田稔之 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2933/0091

Abstract: 半导体发光元件（101）具备以非极性面或半极性面为主面的、由包含发出偏振光的活性层（22）的氮化物类半导体构成的半导体层叠结构（20）。半导体发光元件（101）具有设置在横切偏振光的出射路径的位置、包含多个凹部的条纹结构（50），凹部（50b）的延伸方向与偏振光的偏振方向所成角度为0°以上45°以下。多个凹部（50b），该多个凹部（50b）的表面的至少一部分具有比凹部50b的深度浅的微细的凹凸结构（纹理）（51）。

公开(公告)号：CN103493224A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019898.6

申请日：2012-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤田稔之 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L24/05 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。