公开(公告)号：CN1763961A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510067756.9

申请日：2005-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 见崎诚 ,  栗本一实

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0928 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。从P型半导体衬底(100)的表面朝着其内部形成有多个N阱区域(101)和多个P阱区域(102)，该多个N阱区域(101)和多个P阱区域(102)沿衬底主面方向交替排列着。在P型半导体衬底(100)中的N阱区域(101)及P阱区域(102)的下侧形成有深N阱区域(103)。N阱区域(101)通过深N阱区域(103)互相电连接。P阱区域(102)的至少一部分与P型半导体衬底(100)中未形成深N阱区域(103)的区域连接。因此，在具有三阱结构的半导体装置中，控制P阱电阻的增大、减少N阱的电阻，从而使封闭耐压提高。