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公开(公告)号：CN1345474B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN00805557.2
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯S.哈里斯,Jr.
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L31/0304
CPC classification number: H01S5/32 , H01L29/201 , H01L33/32 , H01S2304/00
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系，包括：激光二极管，晶体管，和光检测器，所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中，半导体结构包括：在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层，基本没有相分离的InGaAlN活性层，和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。
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