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公开(公告)号：CN101211911B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710300466.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/0292 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2924/0002 , H03K3/354 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制随着电极焊盘的个数增加所引起的半导体芯片的尺寸的增加，并且不会导致静电放电的能力降低的半导体集成电路装置。外部连接用的多个电极焊盘(1a、1b)被配置为锯齿状。接近划线区域(3)侧的电极焊盘(1a)和输入输出单元(2)中，它们的划线区域(3)侧的端部的位置被设定为大致相同的位置而配置。配置针对静电放电的保护电路(6、7)，电源侧保护电路(7)、接地侧保护电路(6)从接近划线区域(3)一侧依次排列。电极焊盘(1a)与自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)的中心位置相互间的隔离、以及电极焊盘(1b)和自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)之间的中心位置相互间的隔离，短且在各输入输出单元(2)相互间为大致等距离，增强对静电放电的承受能力。
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公开(公告)号：CN1311543C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410031476.8
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5286 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L2224/05552 , H01L2224/05624 , H01L2224/4943 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它能使位于半导体芯片周围的输入输出电路部，不招致ESD保护晶体管的击穿，又能将侵入电极焊接区的静电放电保护内部电路。各输入输出单元(IOC)，配备多个ESD保护晶体管(OT)。电极焊接区单元(Pad)由下侧的电极焊接区(50)和上侧的电极焊接区(51)的2层结构构成。配置该电极焊接区单元(PAD)，使之覆盖配备在自己的单元(IOC)上的ESD保护晶体管(OT)的连接布线(16)的上方。邻接的电极焊接区(50)的第1焊接区部(50a)位于电极焊接区(50)的第2焊接区部(50b)的端部，该第2焊接区部(50b)虽然不延伸到前方，但是，比该第2焊接区部(50b)宽度更窄的第3焊接区部(50c)配置在前方。
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公开(公告)号：CN1534766A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031476.8
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5286 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L2224/05552 , H01L2224/05624 , H01L2224/4943 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它能使位于半导体芯片周围的输入输出电路部，不招致ESD保护晶体管的击穿，又能将侵入电极焊接区的静电放电保护内部电路。各输入输出单元(IOC)，配备多个ESD保护晶体管(OT)。电极焊接区单元(Pad)由下侧的电极焊接区(50)和上侧的电极焊接区(51)的2层结构构成。配置该电极焊接区单元(PAD)，使之覆盖配备在自己的单元(IOC)上的ESD保护晶体管(OT)的连接布线(16)的上方。邻接的电极焊接区(50)的第1焊接区部(50a)位于电极焊接区(50)的第2焊接区部(50b)的端部，该第2焊接区部(50b)虽然不延伸到前方，但是，比该第2焊接区部(50b)宽度更窄的第3焊接区部(50c)配置在前方。
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公开(公告)号：CN101211911A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710300466.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/0292 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/0207 , H01L27/0928 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L2924/0002 , H03K3/354 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制随着电极焊盘的个数增加所引起的半导体芯片的尺寸的增加，并且不会导致静电放电的能力降低的半导体集成电路装置。外部连接用的多个电极焊盘(1a、1b)被配置为锯齿状。接近划线区域(3)侧的电极焊盘(1a)和输入输出单元(2)中，它们的划线区域(3)侧的端部的位置被设定为大致相同的位置而配置。配置针对静电放电的保护电路(6、7)，电源侧保护电路(7)、接地侧保护电路(6)从接近划线区域(3)一侧依次排列。电极焊盘(1a)与自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)的中心位置相互间的隔离、以及电极焊盘(1b)和自己的输入输出单元(2)的接地侧保护电路(7)之间的中心位置相互间的隔离，短且在各输入输出单元(2)相互间为大致等距离，增强对静电放电的承受能力。
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