红外线图像传感器的制造方法及红外线图像传感器

    公开(公告)号:CN102105768B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN200980129199.5

    申请日:2009-07-24

    CPC classification number: H01L27/14649 G01J5/12 G01J5/20

    Abstract: 在红外线图像传感器的制造方法中,首先,通过在第一区域(A1)上形成二氧化硅膜(31)接着在该二氧化硅膜(31)上形成氮化硅膜(32)而制成热绝缘层(33)。该二氧化硅膜(31)具有压应力。第一区域(A1)保留于硅衬底(1)的表面中以形成红外线检测元件(3)。氮化硅膜(32)具有拉应力。然后,在保留于硅衬底(1)的表面中的第二区域(A2)中形成阱区(41)以形成MOS晶体管(4)。此后,通过将硅衬底(1)的表面热氧化而形成MOS晶体管(4)的栅极绝缘膜(45)。之后,在热绝缘层(33)上形成温度检测元件(36)。随后,在阱区(41)中形成MOS晶体管(4)的漏极区(43)和源极区(44)。最后,在硅衬底(1)的与红外线检测元件(3)相对应的部分中形成用于热绝缘的腔(11)。

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